Bandeja de wafer SiC

A bandeja de wafer Semicorex SiC, funcionando como um elemento-chave no aparelho MOCVD, retém e gerencia termicamente substratos de cristal único. Suas características de desempenho excepcionais, incluindo estabilidade e uniformidade térmica superiores, bem como inibição de corrosão e assim por diante, são cruciais para o crescimento de alta qualidade de materiais epitaxiais. Esses atributos garantem uniformidade e pureza consistentes em camadas de filmes finos.

Aprimorada com um revestimento de SiC, a bandeja de wafer de SiC melhora significativamente a condutividade térmica, facilitando a distribuição rápida e uniforme de calor, vital para o crescimento epitaxial uniforme. A capacidade da bandeja de wafer de SiC de absorver e irradiar calor com eficiência mantém uma temperatura estável e consistente, essencial para a deposição precisa de filmes finos. Esta distribuição uniforme de temperatura é crítica para a produção de camadas epitaxiais de alta qualidade, essenciais para o desempenho de dispositivos semicondutores avançados.

O desempenho confiável e a longevidade da bandeja de wafer SiC reduzem a frequência de substituições, minimizando o tempo de inatividade e os custos de manutenção. Sua construção robusta e capacidades operacionais superiores melhoram a eficiência do processo, aumentando assim a produtividade e a relação custo-benefício na fabricação de semicondutores.

Além disso, a bandeja de wafer Semicorex SiC apresenta excelente resistência à oxidação e corrosão em altas temperaturas, garantindo ainda mais sua durabilidade e confiabilidade. Sua alta resistência térmica, marcada por um ponto de fusão significativo, permite resistir às rigorosas condições térmicas inerentes aos processos de fabricação de semicondutores.