Receptor SiC Multi Bolso

A base do Semicorex SiC Multi Pocket Susceptor é grafite isotrópico de altíssima pureza, conhecido por sua estabilidade térmica e resistência a choques térmicos. Este material de base é ainda melhorado através da aplicação de um revestimento de SiC depositado por CVD meticulosamente controlado. Esta combinação oferece uma sinergia única de propriedades:

Resistência química incomparável:A camada superficial de SiC apresenta excepcional resistência à oxidação, corrosão e ataque químico, mesmo em temperaturas elevadas inerentes aos processos de crescimento epitaxial. Essa inércia garante que o SiC Multi Pocket Susceptor mantenha sua integridade estrutural e qualidade de superfície, minimizando o risco de contaminação e garantindo vida útil operacional prolongada.

Estabilidade térmica e uniformidade excepcionais:A estabilidade inerente da grafite isotrópica, juntamente com o revestimento uniforme de SiC, garante uma distribuição uniforme de calor em toda a superfície do susceptor. Essa uniformidade é fundamental para alcançar perfis de temperatura homogêneos em todo o wafer durante a epitaxia, traduzindo-se diretamente em crescimento superior de cristal e uniformidade de filme.

Eficiência de processo aprimorada:A robustez e longevidade do SiC Multi Pocket Susceptor contribuem para aumentar a eficiência do processo. A redução do tempo de inatividade para limpeza ou substituição se traduz em maior produtividade e menor custo geral de propriedade, fatores cruciais em ambientes exigentes de fabricação de semicondutores.

As propriedades superiores do SiC Multi Pocket Susceptor se traduzem diretamente em benefícios tangíveis na fabricação de wafer epitaxial:

Melhor qualidade do wafer:A uniformidade aprimorada de temperatura e a inércia química contribuem para reduzir defeitos e melhorar a qualidade do cristal na camada epitaxial. Isso se traduz diretamente em melhor desempenho e rendimento dos dispositivos semicondutores finais.

Maior desempenho do dispositivo:A capacidade de obter controle preciso sobre perfis de dopagem e espessuras de camada durante a epitaxia é crucial para otimizar o desempenho do dispositivo. A plataforma estável e uniforme fornecida pelo SiC Multi Pocket Susceptor permite que os fabricantes ajustem as características do dispositivo para aplicações específicas.

Habilitando aplicativos avançados:À medida que a indústria de semicondutores avança para geometrias de dispositivos menores e arquiteturas mais complexas, a demanda por wafers epitaxiais de alto desempenho continua a aumentar. O Semicorex SiC Multi Pocket Susceptor desempenha um papel crucial na viabilização desses avanços, fornecendo a plataforma necessária para um crescimento epitaxial preciso e repetível.