Receptor SiC Epitaxia

O SiC Epitaxy Susceptor é um componente crítico usado em equipamentos MOCVD para suportar e aquecer substratos de cristal único. Seus parâmetros de desempenho superiores, como estabilidade térmica e uniformidade térmica, desempenham um papel decisivo na qualidade do crescimento do material epitaxial, garantindo altos níveis de uniformidade e pureza em materiais de película fina.

O SiC Epitaxy Susceptor possui excelente densidade, proporcionando proteção eficaz em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura. Além disso, seu alto nível de planicidade superficial atende perfeitamente aos requisitos para o crescimento de cristais únicos na superfície do substrato.

O coeficiente mínimo de diferenças de expansão térmica no Susceptor Epitaxy SiC aumenta significativamente a resistência de ligação entre o substrato epitaxial e o material de revestimento, reduzindo assim a probabilidade de rachaduras após experimentar ciclos térmicos de alta temperatura.

Simultaneamente, apresenta alta condutividade térmica, facilitando a distribuição rápida e uniforme do calor para o crescimento dos cavacos. Além disso, seu alto ponto de fusão, resistência à temperatura, resistência à oxidação e resistência à corrosão permitem uma operação estável em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

Como um componente crucial dentro da câmara de reação do equipamento MOCVD, o SiC Epitaxy Susceptor deve possuir vantagens como resistência a altas temperaturas, condutividade térmica uniforme, boa estabilidade química e forte resistência ao choque térmico. O Susceptor Semicorex SiC Epitaxy atende a todos esses requisitos.