Placa revestida com SiC

A placa revestida semicorex SiC é um componente de alto desempenho projetado especificamente projetado para equipamentos de crescimento epitaxial (EPI), exigindo substratos estáveis e de alta pureza para criar filmes de alta qualidade. É um núcleo de grafite de alta resistência, uniformemente e densamente revestido com carboneto de silício (SIC), alcançando a resistividade térmica e mecânica incomparável da grafite de alta resistência combinada com a estabilidade química e a durabilidade da superfície do SIC. A placa revestida semicorex SiC é construída para sustentar os rigores extremos dos processos epitaxiais para semicondutores compostos, incluindo SiC e GaN.

O núcleo de grafite da placa revestida com SiC possui excelente condutividade térmica, baixa densidade e resistência ao choque térmico superior. A massa térmica moderadamente baixa do núcleo de grafite equilibrada com excelente condutividade térmica permite uma distribuição rápida de calor uniformemente em um processo em que os ciclos de temperatura ocorrem em alta velocidade. A camada externa do SiC depositada pela deposição química de vapor (DCV) oferece uma barreira protetora que aumenta a dureza, a resistência à corrosão e a inércia química, oferecendo valor imediato na limitação ou prevenção da geração de partículas. Essa superfície elementar sólida combinada com as características físicas da base de grafite garante um ambiente de processo de alta pureza com muito pouco ou nenhum risco de geração de defeitos nas camadas epitaxiais.

Precisão dimensional e planicidade da superfície também são atributos essenciais da placa revestida com SiC. Cada placa é usinada e revestida com tolerâncias rígidas, a fim de garantir a uniformidade e a repetibilidade no desempenho do processo. A superfície lisa e inerte reduz os locais de nucleação para deposição de filmes indesejados e melhora a uniformidade da wafer na superfície da placa.

Nos reatores epitaxiais, a placa revestida com SiC é tipicamente implementada como susceptador, revestimento ou escudo térmico para fornecer estrutura e executar como um meio de transferência de calor para a bolacha sendo processada. O desempenho estável afetará diretamente a qualidade, o rendimento e a produtividade do cristal.