Susceptores Epitaxiais Revestidos com SiC

Semicondutorsubstratosnão pode ser colocado diretamente na base em equipamentos MOCVD ou CVD durante a deposição epitaxial devido ao impacto de vários fatores críticos, incluindo direção do fluxo de gás (horizontal e vertical), temperatura, pressão, fixação do substrato e contaminação por partículas. Por esta razão, os susceptores epitaxiais devem ser posicionados no centro da câmara de reação em sistemas MOCVD/CVD para suportar e proteger substratos semicondutores, evitando assim a degradação da qualidade do crescimento epitaxial causada por vibração ou deslocamento posicional.

Grafite de alta pureza é usada como material de matriz para SemicorexSusceptores epitaxiais revestidos de SiC, com o revestimento de carboneto de silício depositado em sua superfície pelas técnicas avançadas de CVD. Os susceptores epitaxiais revestidos com SiC Semicorex são os componentes indispensáveis ​​no processo de formação da camada epitaxial. Seu papel principal é fornecer um ambiente operacional estável e controlável para o crescimento de camadas epitaxiais em substratos semicondutores, o que pode garantir a consistência da qualidade da superfície do wafer.

As características dos susceptores epitaxiais revestidos com Semicorex SiC

1. Excelente resistência a altas temperaturas para suportar condições operacionais de 1600 ℃.

2.Alta condutividade térmica, proporcionando rápida transferência de calor para manter a distribuição uniforme de temperatura nos substratos semicondutores.

3.Forte resistência à corrosão química para resistir à degradação química e à corrosão, evitando a contaminação do processo de substratos e camadas epitaxiais.

4.Resistência superior ao choque térmico para evitar a ocorrência de rachaduras e delaminação do revestimento.

5. Planicidade de superfície excepcional, ajustando-se perfeitamente a substratos que minimizam lacunas e defeitos.

6. Maior vida útil, reduzindo tempo e perdas econômicas causadas pela substituição e manutenção de peças.

As aplicações dos susceptores epitaxiais revestidos com SiC Semicorex

Com múltiplas vantagens excelentes, os susceptores epitaxiais revestidos com SiC Semicorex desempenham um papel fundamental na facilitação do crescimento uniforme e controlável de filmes finos epitaxiais e são amplamente aplicados no processo de crescimento epitaxial de semicondutores.

1. Crescimento epitaxial de GaN

2. Crescimento epitaxial de SiC

3.Si crescimento epitaxial