Os anéis guia de revestimento TaC são anéis de grafite com revestimento de carboneto de tântalo, projetados para uso em fornos de crescimento de cristal de carboneto de silício para melhorar a qualidade do cristal. Escolha Semicorex por sua avançada tecnologia de revestimento, garantindo durabilidade superior, estabilidade térmica e desempenho otimizado de crescimento de cristal.*
consulte Mais informaçãoEnviar consultaO anel guia de carboneto de tântalo Semicorex é um anel de grafite revestido com carboneto de tântalo, usado em fornos de crescimento de cristal de carboneto de silício para suporte de cristal semente, otimização de temperatura e maior estabilidade de crescimento. Escolha a Semicorex por seus materiais e design avançados, que melhoram significativamente a eficiência e a qualidade do crescimento do cristal.*
consulte Mais informaçãoEnviar consultaO anel de carboneto de tântalo Semicorex é um anel de grafite revestido com carboneto de tântalo, usado como anel guia em fornos de crescimento de cristal de carboneto de silício para garantir controle preciso de temperatura e fluxo de gás. Escolha a Semicorex por sua avançada tecnologia de revestimento e materiais de alta qualidade, fornecendo componentes duráveis e confiáveis que melhoram a eficiência do crescimento de cristais e a vida útil do produto.*
consulte Mais informaçãoEnviar consultaO Semicorex SiC O Ring é altamente valorizado em uma variedade de indústrias por suas excepcionais capacidades de vedação e propriedades de material. Seu uso abrange aplicações onde condições extremas, como altas temperaturas, produtos químicos agressivos, estresse mecânico e limpeza rigorosa, são rotineiras.**
consulte Mais informaçãoEnviar consultaA bandeja de wafer com revestimento Semicorex TaC deve ser projetada para suportar os desafios de as condições extremas dentro da câmara de reação, incluindo altas temperaturas e ambientes quimicamente reativos.**
consulte Mais informaçãoEnviar consultaA Câmara de Reação Semicorex LPE Halfmoon é indispensável para a operação eficiente e confiável da epitaxia de SiC, garantindo a produção de camadas epitaxiais de alta qualidade, reduzindo custos de manutenção e aumentando a eficiência operacional. **
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