- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Notícias
GaN versus SiC
Existem vários materiais atualmente sob investigação, entre os quais o carboneto de silício se destaca como um dos mais promissores. Semelhante ao GaN, possui tensões operacionais mais altas, tensões de ruptura mais altas e condutividade superior em comparação ao silício. Além disso, graças à sua al......
consulte Mais informação
Vantagens e desvantagens das aplicações de nitreto de gálio (GaN)
À medida que o mundo procura novas oportunidades em semicondutores, o nitreto de gálio continua a destacar-se como um potencial candidato para futuras aplicações de energia e RF. Contudo, apesar de todos os benefícios que oferece, ainda enfrenta um grande desafio; não existem produtos do tipo P (tip......
consulte Mais informação
Aplicações de wafer de óxido de gálio
O óxido de gálio (Ga2O3) surgiu como um material promissor para diversas aplicações, particularmente em dispositivos de energia e dispositivos de radiofrequência (RF). Neste artigo, exploramos as principais oportunidades e mercados-alvo para o óxido de gálio nesses domínios.
consulte Mais informação
Apresentando o Óxido de Gálio (Ga2O3)
O óxido de gálio (Ga2O3) como um material "semicondutor de bandgap ultralargo" tem atraído atenção constante. Os semicondutores de bandgap ultralargo se enquadram na categoria de "semicondutores de quarta geração" e, em comparação com semicondutores de terceira geração, como carboneto de silício (Si......
consulte Mais informação
O que é grafitar？
Grafitização é o processo de transformação de carvão não grafítico em carvão grafítico com estrutura tridimensional ordenada regular de grafite por tratamento térmico de alta temperatura, aproveitando ao máximo o calor da resistência elétrica para aquecer o material de carvão a 2300 ~ 3000 ℃ e trans......
consulte Mais informação
Revestimento no campo térmico de monocristais semicondutores de silício
As peças revestidas em campo quente de cristal único de silício semicondutor são geralmente revestidas pelo método CVD, incluindo revestimento de carbono pirolítico, revestimento de carboneto de silício e revestimento de carboneto de tântalo, cada um com características diferentes.
consulte Mais informação
