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Notícias
Dificuldade na preparação de substratos de SiC
Atualmente, a tendência mais importante no desenvolvimento do substrato é expandir o diâmetro. A linha de produção em massa de 6 polegadas no mercado global de SiC está amadurecendo e empresas líderes entraram no mercado de 8 polegadas.
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Substrato de carboneto de silício
O processo de substrato de carboneto de silício é complexo e difícil de fabricar. O substrato SiC ocupa o principal valor da cadeia industrial, respondendo por 47%. A expectativa é que com a expansão da capacidade de produção e a melhoria do rendimento no futuro, caia para 30%.
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Compreendendo a tecnologia de gravação a seco na indústria de semicondutores
Atualmente, muitos dispositivos semicondutores empregam estruturas de dispositivos mesa, que são predominantemente criadas através de dois tipos de gravação: gravação úmida e gravação seca. Embora a gravação úmida simples e rápida desempenhe um papel significativo na fabricação de dispositivos semic......
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Vantagens da cerâmica de carboneto de silício na indústria de fibra óptica
A cerâmica de carboneto de silício oferece inúmeras vantagens na indústria de fibra óptica, incluindo estabilidade em altas temperaturas, baixo coeficiente de expansão térmica, baixo limite de perdas e danos, resistência mecânica, resistência à corrosão, boa condutividade térmica e baixa constante d......
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Introdução aos dispositivos de potência de carboneto de silício
Dispositivos de potência de carboneto de silício (SiC) são dispositivos semicondutores feitos de materiais de carboneto de silício, usados principalmente em aplicações eletrônicas de alta frequência, alta temperatura, alta tensão e alta potência. Em comparação com os dispositivos de energia tradic......
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