- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Notícias
Wafers epitaxiais de nitreto de gálio: uma introdução ao processo de fabricação
O crescimento do wafer epitaxial de nitreto de gálio (GaN) é um processo complexo, geralmente utilizando um método de duas etapas. Este método envolve vários estágios críticos, incluindo cozimento em alta temperatura, crescimento da camada tampão, recristalização e recozimento. Ao controlar meticulo......
consulte Mais informação
Qual é a diferença entre wafers epitaxiais e difusos
Tanto os wafers epitaxiais quanto os difusos são materiais essenciais na fabricação de semicondutores, mas diferem significativamente em seus processos de fabricação e aplicações alvo. Este artigo investiga as principais distinções entre esses tipos de wafer.
consulte Mais informação
Fluxo do processo do núcleo do substrato de carboneto de silício
O substrato de carboneto de silício é um material semicondutor composto de cristal único composto por dois elementos, carbono e silício. Possui as características de grande bandgap, alta condutividade térmica, alta intensidade de campo de ruptura crítica e alta taxa de deriva de saturação de elétron......
consulte Mais informação
O papel crítico dos substratos de SiC e do crescimento de cristais na indústria de semicondutores
Dentro da cadeia industrial de carboneto de silício (SiC), os fornecedores de substratos detêm uma influência significativa, principalmente devido à distribuição de valor. Os substratos de SiC representam 47% do valor total, seguidos pelas camadas epitaxiais com 23%, enquanto o design e a fabricação......
consulte Mais informação
Aplicação de SiC e GaN em veículos elétricos
Os MOSFETs de SiC são transistores que oferecem alta densidade de potência, maior eficiência e baixas taxas de falha em altas temperaturas. Essas vantagens dos MOSFETs de SiC trazem inúmeros benefícios aos veículos elétricos (EVs), incluindo maior autonomia de condução, carregamento mais rápido e ve......
consulte Mais informação
