Susceptor de Wafer de Silício Monocristalino

O Susceptor de Wafer de Silício Monocristalino Semicorex é a solução ideal para processos de epitaxia de grafite e manuseio de wafer. Nosso produto ultrapuro garante contaminação mínima e desempenho excepcional de longa duração, tornando-o uma escolha popular em muitos mercados europeus e americanos. Como fornecedor líder de transportadores de wafer semicondutores na China, esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo.

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Descrição do produto

Nosso susceptor epitaxial de silício monocristalino é um produto de grafite revestido com SiC de alta pureza, que possui alta resistência ao calor e à corrosão. O suporte revestido de carboneto de silício CVD é usado em processos que formam a camada epitaxial em wafers semicondutores. Possui alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor, essenciais para processos de fabricação de semicondutores eficientes e precisos.
Uma das principais características do nosso Susceptor de Wafer de Silício Monocristalino é sua excelente densidade. Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel protetor em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura. O susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto, o que é essencial para manter a produção de wafer de alta qualidade.
Outra característica importante do nosso produto é a capacidade de reduzir a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício. Isso melhora efetivamente a força de ligação, evitando rachaduras e delaminação. Além disso, tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor, garantindo que o calor seja distribuído uniformemente durante o processo de fabricação.
Nosso susceptor de wafer de silício monocristalino também é resistente à oxidação e corrosão em alta temperatura, tornando-o um produto confiável e durável. Seu alto ponto de fusão garante que ele possa suportar o ambiente de alta temperatura necessário para a fabricação eficiente de semicondutores.
Concluindo, o Susceptor de Wafer de Silício Monocristalino Semicorex é uma solução ultrapura, durável e confiável para epitaxia de grafite e processos de manuseio de wafer. Sua excelente densidade, planicidade de superfície e condutividade térmica o tornam ideal para uso em ambientes corrosivos e de alta temperatura. Temos orgulho em fornecer produtos de alta qualidade a preços competitivos e esperamos fazer parceria com você para todas as suas necessidades de suporte de wafer semicondutor.

Parâmetros do Susceptor de Bolacha de Silício Monocristalino

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura de cristal	FCC fase β
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	Î¼m	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (dobra de 4pt, 1300â)	430
Expansão Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do Susceptor de Bolacha de Silício Monocristalino

- Evite descascar e assegure o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feito por deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir a uniformidade do perfil térmico
- Prevenir qualquer contaminação ou difusão de impurezas