O susceptor de wafer de silício monocristalino Semicorex é a solução ideal para processos de epitaxia de grafite e manuseio de wafer. Nosso produto ultrapuro garante contaminação mínima e desempenho excepcional de longa duração, tornando-o uma escolha popular em muitos mercados europeus e americanos. Como fornecedor líder de transportadores de wafers semicondutores na China, esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo.
Nosso susceptor epitaxial de silício monocristalino é um produto de grafite revestido com SiC de alta pureza, que possui alta resistência ao calor e à corrosão. O transportador revestido de carboneto de silício CVD é usado em processos que formam a camada epitaxial em wafers semicondutores. Possui alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor, essenciais para processos de fabricação de semicondutores eficientes e precisos.
Uma das principais características do nosso Susceptor de Wafer de Silício Monocristalino é sua excelente densidade. Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel protetor em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura. O susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto, o que é essencial para manter a produção de wafer de alta qualidade.
Outra característica importante do nosso produto é a sua capacidade de reduzir a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício. Isto melhora efetivamente a resistência da ligação, evitando rachaduras e delaminação. Além disso, tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor, garantindo que o calor seja distribuído uniformemente durante o processo de fabricação.
Nosso Susceptor de Wafer de Silício Monocristalino também é resistente à oxidação e corrosão em alta temperatura, tornando-o um produto confiável e durável. Seu alto ponto de fusão garante que ele possa suportar o ambiente de alta temperatura necessário para a fabricação eficiente de semicondutores.
Concluindo, o Susceptor de Wafer de Silício Monocristalino Semicorex é uma solução ultrapura, durável e confiável para processos de epitaxia de grafite e manuseio de wafer. Sua excelente densidade, planicidade superficial e condutividade térmica o tornam ideal para uso em ambientes corrosivos e de alta temperatura. Temos orgulho em fornecer produtos de alta qualidade a preços competitivos e esperamos fazer parceria com você para todas as suas necessidades de transportadores de wafers semicondutores.
Parâmetros do Susceptor de Wafer de Silício Monocristalino
Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
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Propriedades SiC-CVD |
||
Estrutura Cristalina |
Fase β do FCC |
|
Densidade |
g/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamanho do grão |
μm |
2~10 |
Pureza Química |
% |
99.99995 |
Capacidade de calor |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura de sublimação |
℃ |
2700 |
Força Felexural |
MPa (TR 4 pontos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C) |
430 |
Expansão Térmica (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Características do Susceptor de Wafer de Silício Monocristalino
-Evite descascar e garanta o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feita por deposição química de vapor CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir uniformidade do perfil térmico
- Evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas