Placa de Si monocristalino epitaxial

a placa de Si de cristal único epitaxial encapsula o auge do refinamento, durabilidade e confiabilidade para aplicações relacionadas à epitaxia de grafite e manipulação de wafer. Distingue-se pela sua densidade, planaridade e capacidades de gestão térmica, posicionando-o como a selecção ideal para condições operacionais rigorosas. O compromisso da Semicorex com a qualidade líder de mercado, aliado a considerações fiscais competitivas, cimenta nosso desejo de estabelecer parcerias no cumprimento de seus requisitos de transporte de wafers semicondutores.

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Descrição do produto

Um atributo primordial da placa de Si monocristalino epitaxial reside em sua densidade superior. A integração de um substrato de grafite com um revestimento de carboneto de silício produz uma densidade abrangente que é adequada para proteger contra as condições rigorosas encontradas em ambientes corrosivos e de alta temperatura. Além disso, o susceptor revestido com carboneto de silício, adaptado para a síntese de monocristais, possui um perfil de superfície excepcionalmente uniforme – um determinante crítico para a produção sustentada de wafers de qualidade impecável.

Igualmente fundamental para o design do nosso produto é a mitigação das discrepâncias de expansão térmica entre o núcleo de grafite e sua cobertura de carboneto de silício. Tal inovação aumenta acentuadamente a robustez adesiva, contornando assim os fenómenos de fissuras e estratificação. Em sincronia com isso, a placa de Si monocristalino epitaxial exibe elevada condutividade térmica, combinada com uma propensão louvável para alocação uniforme de calor - fatores que são fundamentais para alcançar homogeneidade de temperatura durante o ciclo de produção.

Além disso, a placa de Si monocristalino epitaxial demonstra resiliência louvável à degradação oxidativa e corrosiva em temperaturas elevadas, sustentando sua longevidade e confiabilidade. O seu limiar de resistência térmica é sublinhado por um ponto de fusão significativo, garantindo assim a sua capacidade de suportar o ambiente térmico exigente intrínseco à fabricação proficiente de semicondutores.