Susceptor Epitaxial de Silício Monocristalino

Perfeito para epitaxia de grafite e processo de manuseio de wafer, o Susceptor Epitaxial de Silício Monocristalino ultrapuro Semicorex garante contaminação mínima e fornece desempenho de vida útil excepcionalmente longo. Nossos produtos têm uma boa vantagem de preço e cobrem muitos mercados europeus e americanos. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

O Susceptor Epitaxial de Silício Monocristalino Semicorex é um produto de grafite revestido com SiC altamente purificado, que possui alta resistência ao calor e à corrosão. O transportador revestido de carboneto de silício CVD usado em processos que formam a camada epitaxial em wafers semicondutores, que possui alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.
Nosso Susceptor Epitaxial de Silício Monocristalino foi projetado para atingir o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo uniformidade do perfil térmico. Isto ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo um crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.
Contate-nos hoje para saber mais sobre nosso susceptor epitaxial de silício monocristalino.

Parâmetros do Susceptor Epitaxial de Silício Monocristalino

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J kg-1 K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do Susceptor Epitaxial de Silício Monocristalino

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel protetor em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.
- O susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.
- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhorando efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.
- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.
- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em altas temperaturas, resistência à corrosão.