Susceptor Epitaxial de Silício Monocristalino

Perfeito para epitaxia de grafite e processo de manuseio de wafer, o Susceptor Epitaxial de Silício Monocristalino Ultra-puro Semicorex garante contaminação mínima e fornece desempenho de vida útil excepcionalmente longa. Nossos produtos têm uma boa vantagem de preço e cobrem muitos dos mercados europeu e americano. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

O Susceptor Epitaxial de Silício Monocristalino Semicorex é um produto de grafite revestido com SiC altamente purificado, que possui alta resistência ao calor e à corrosão. Carreador revestido de carboneto de silício CVD usado em processos que formam a camada epitaxial em wafers semicondutores, que possui alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.
Nosso Susceptor Epitaxial de Silício Monocristalino é projetado para alcançar o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo a uniformidade do perfil térmico. Isso ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.
Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso susceptor epitaxial de silício monocristalino.

Parâmetros do Susceptor Epitaxial de Silício Monocristalino

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura de cristal	FCC fase β
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	Î¼m	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (dobra de 4pt, 1300â)	430
Expansão Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do Susceptor Epitaxial de Silício Monocristalino

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel de proteção em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.
- Susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.
- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhore efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.
- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.
- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em alta temperatura, resistência à corrosão.