Receptor de epitaxia MOCVD

Vantagens para aplicações exigentes de epitaxia:

Pureza Ultra-Alta:O O MOCVD Epitaxy Susceptor é elaborado para atingir níveis de pureza ultra-altos, minimizando o risco de impurezas indesejadas serem incorporadas nas camadas epitaxiais em crescimento. Esta pureza excepcional é crucial para manter a alta mobilidade da portadora, alcançar perfis de dopagem ideais e, em última análise, realizar dispositivos semicondutores de alto desempenho.

Resistência excepcional ao choque térmico:O Susceptor Epitaxia MOCVD apresenta notável resistência ao choque térmico, suportando rápidas mudanças de temperatura e gradientes inerentes ao processo MOCVD. Essa estabilidade garante um desempenho consistente e confiável durante as fases críticas de aquecimento e resfriamento, minimizando o risco de arqueamento do wafer, defeitos induzidos por estresse e interrupções do processo.

Resistência Química Superior:O Susceptor Epitaxy MOCVD demonstra resistência excepcional a uma ampla gama de gases reativos e produtos químicos usados ​​em MOCVD, incluindo subprodutos corrosivos que podem se formar em temperaturas elevadas. Esta inércia evita a contaminação das camadas epitaxiais e garante a pureza do material semicondutor depositado, fundamental para alcançar as propriedades elétricas e ópticas desejadas.

Disponibilidade em Completox Formas: O Susceptor Epitaxy MOCVD pode ser usinado com precisão em formas e geometrias complexas para otimizar a dinâmica do fluxo de gás e a uniformidade de temperatura dentro do reator MOCVD. Esta capacidade de design personalizado permite o aquecimento uniforme dos wafers do substrato, minimizando as variações de temperatura que podem levar a um crescimento epitaxial inconsistente e ao desempenho do dispositivo.