Câmara de reação de meia lua LPE

O processo epitaxial ocorre dentro da Câmara de Reação Meia Lua do LPE, onde os substratos são expostos a condições extremas envolvendo altas temperaturas e gases corrosivos. Para garantir a longevidade e o desempenho dos componentes da câmara de reação, são aplicados revestimentos de SiC por Deposição Química de Vapor (CVD):

Aplicações detalhadas:

Susceptores e portadores de wafer:

Função principal:

Susceptores e transportadores de wafer são componentes críticos que mantêm os substratos com segurança durante o processo de crescimento epitaxial na Câmara de Reação Halfmoon LPE. Eles desempenham um papel fundamental para garantir que os substratos sejam aquecidos uniformemente e expostos aos gases reativos.

Benefícios do revestimento CVD SiC:

Condutividade Térmica:

O revestimento SiC aumenta a condutividade térmica do susceptor, garantindo que o calor seja distribuído uniformemente pela superfície do wafer. Essa uniformidade é essencial para alcançar um crescimento epitaxial consistente.

Resistência à corrosão:

O revestimento de SiC protege o susceptor de gases corrosivos, como hidrogênio e compostos clorados, que são usados ​​no processo CVD. Esta proteção prolonga a vida útil do susceptor e mantém a integridade do processo epitaxial na Câmara de Reação Halfmoon LPE.

Paredes da Câmara de Reação:

Função principal:

As paredes da câmara de reação contêm o ambiente reativo e são expostas a altas temperaturas e gases corrosivos durante o processo de crescimento epitaxial na Câmara de Reação Halfmoon LPE.

Benefícios do revestimento CVD SiC:

Durabilidade:

O revestimento SiC da Câmara de Reação LPE Halfmoon aumenta significativamente a durabilidade das paredes da câmara, protegendo-as contra corrosão e desgaste físico. Essa durabilidade reduz a frequência de manutenção e substituição, diminuindo assim os custos operacionais.

Prevenção de Contaminação:

Ao manter a integridade das paredes da câmara, o revestimento de SiC minimiza o risco de contaminação por materiais deteriorados, garantindo um ambiente de processamento limpo.

Principais benefícios:

Rendimento melhorado:

Ao manter a integridade estrutural dos wafers, a Câmara de Reação Halfmoon LPE suporta taxas de rendimento mais altas, tornando o processo de fabricação de semicondutores mais eficiente e econômico.

Robustez Estrutural:

O revestimento SiC da Câmara de Reação LPE Halfmoon aumenta significativamente a resistência mecânica do substrato de grafite, tornando os transportadores de wafer mais robustos e capazes de suportar as tensões mecânicas de repetidos ciclos térmicos.

Longevidade:

O aumento da resistência mecânica contribui para a longevidade geral da Câmara de Reação Meia Lua LPE, reduzindo a necessidade de substituições frequentes e diminuindo ainda mais os custos operacionais.

Qualidade de superfície aprimorada:

O revestimento SiC resulta em uma superfície mais lisa em comparação com o grafite puro. Esse acabamento liso minimiza a geração de partículas, o que é crucial para manter um ambiente de processamento limpo.

Redução de contaminação:

Uma superfície mais lisa reduz o risco de contaminação do wafer, garantindo a pureza das camadas semicondutoras e melhorando a qualidade geral dos dispositivos finais.

Ambiente de processamento limpo:

A Câmara de Reação Halfmoon Semicorex LPE gera significativamente menos partículas do que a grafite não revestida, o que é essencial para manter um ambiente livre de contaminação na fabricação de semicondutores.

Taxas de rendimento mais altas:

A contaminação reduzida por partículas leva a menos defeitos e taxas de rendimento mais altas, que são fatores críticos na altamente competitiva indústria de semicondutores.