O Semicorex GaN Epitaxy Carrier é fundamental na fabricação de semicondutores, integrando materiais avançados e engenharia de precisão. Distinguido pelo seu revestimento CVD SiC, este suporte oferece excepcional durabilidade, eficiência térmica e capacidade de proteção, estabelecendo-se como um destaque na indústria. Nós da Semicorex nos dedicamos a fabricar e fornecer GaN Epitaxy Carrier de alto desempenho que fundem qualidade com economia.
O Semicorex GaN Epitaxy Carrier se destaca no transporte seguro de wafers dentro do forno enquanto é projetado para processos epitaxiais de wafer. O GaN Epitaxy Carrier é crucial para obter filmes finos reproduzíveis e camadas epitaxiais de alta qualidade, necessários para a produção de dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos avançados.
O substrato de grafite do GaN Epitaxy Carrier é aprimorado com um revestimento de carboneto de silício (SiC) de última geração para Deposição Química de Vapor (CVD). Esta camada de SiC é meticulosamente aplicada por meio de deposição química de vapor, proporcionando proteção robusta contra reações químicas e desgaste durante o processo de epitaxia. Além disso, o revestimento de SiC do GaN Epitaxy Carrier melhora as propriedades térmicas do transportador, facilitando o aquecimento eficiente e uniforme dos wafers. Esse aquecimento uniforme é vital para a produção de camadas epitaxiais consistentes e de alta qualidade em wafers semicondutores.
Personalizável para se adequar a uma variedade de tamanhos de wafers semicondutores, o Semicorex GaN Epitaxy Carrier é uma solução versátil para diversas necessidades de produção. Quer sejam necessários tamanhos, formatos ou espessuras de revestimento específicos, nossa equipe colabora com os clientes para desenvolver uma solução que atenda às suas especificações precisas e otimize o desempenho para suas aplicações exclusivas.