Transportador de Wafer Epitaxia

Aplicativoicações:O Epitaxy Wafer Carrier, desenvolvido pela Semicorex, foi projetado especificamente para uso em vários processos avançados de fabricação de semicondutores. Essas transportadoras são altamente adequadas para ambientes como:

Deposição de Vapor Químico Aprimorada por Plasma (PECVD):Nos processos PECVD, o Epitaxy Wafer Carrier é essencial para manusear os substratos durante o processo de deposição de filmes finos, garantindo qualidade e uniformidade consistentes.

Epitaxia de Silício e SiC:Para aplicações de silício e epitaxia de SiC, onde camadas finas são depositadas em substratos para formar estruturas cristalinas de alta qualidade, o Epitaxy Wafer Carrier mantém a estabilidade sob condições térmicas extremas.

Unidades de Deposição de Vapor Químico Metal-Orgânico (MOCVD):Usadas para fabricar dispositivos semicondutores compostos, como LEDs e eletrônicos de potência, as unidades MOCVD exigem portadores que possam sustentar as altas temperaturas e os ambientes químicos agressivos inerentes ao processo.

Vantagens:

Desempenho estável e uniforme em altas temperaturas:

A combinação de grafite isotrópico e revestimento de carboneto de silício (SiC) proporciona excepcional estabilidade térmica e uniformidade em altas temperaturas. A grafite isotrópica oferece propriedades consistentes em todas as direções, o que é crucial para garantir um desempenho confiável no Epitaxy Wafer Carrier usado sob estresse térmico. O revestimento SiC contribui para manter a distribuição térmica uniforme, evitando pontos quentes e garantindo que o transportador funcione de forma confiável durante longos períodos.

Resistência aprimorada à corrosão e vida útil prolongada dos componentes:

O revestimento SiC, com sua estrutura cristalina cúbica, resulta em uma camada de revestimento de alta densidade. Esta estrutura aumenta significativamente a resistência do Epitaxy Wafer Carrier a gases corrosivos e produtos químicos normalmente encontrados em processos PECVD, epitaxy e MOCVD. O denso revestimento de SiC protege o substrato de grafite subjacente da degradação, prolongando assim a vida útil do transportador e reduzindo a frequência de substituições.

Espessura e cobertura ideais do revestimento:

A Semicorex utiliza uma tecnologia de revestimento que garante uma espessura de revestimento padrão de SiC de 80 a 100 µm. Esta espessura é ideal para alcançar um equilíbrio entre proteção mecânica e condutividade térmica. A tecnologia garante que todas as áreas expostas, incluindo aquelas com geometrias complexas, sejam revestidas uniformemente, mantendo uma camada protetora densa e contínua mesmo em estruturas pequenas e complexas.

Adesão superior e proteção contra corrosão:

Ao infiltrar a camada superior de grafite com revestimento de SiC, o Epitaxy Wafer Carrier alcança adesão excepcional entre o substrato e o revestimento. Este método não só garante que o revestimento permaneça intacto sob tensão mecânica, mas também aumenta a proteção contra corrosão. A camada de SiC firmemente ligada atua como uma barreira, impedindo que gases reativos e produtos químicos alcancem o núcleo de grafite, mantendo assim a integridade estrutural do transportador durante a exposição prolongada a condições adversas de processamento.

Capacidade de revestir geometrias complexas:

A avançada tecnologia de revestimento empregada pela Semicorex permite a aplicação uniforme do revestimento SiC em geometrias complexas, como pequenos furos cegos com diâmetros tão pequenos quanto 1 mm e profundidades superiores a 5 mm. Esta capacidade é crítica para garantir a proteção abrangente do Epitaxy Wafer Carrier, mesmo em áreas que são tradicionalmente difíceis de revestir, evitando assim a corrosão e degradação localizadas.

Interface de revestimento SiC de alta pureza e bem definida:

Para o processamento de wafers feitos de silício, safira, carboneto de silício (SiC), nitreto de gálio (GaN) e outros materiais, a alta pureza da interface de revestimento de SiC é uma vantagem importante. Este revestimento de alta pureza do Epitaxy Wafer Carrier evita a contaminação e mantém a integridade dos wafers durante o processamento em alta temperatura. A interface bem definida garante que a condutividade térmica seja maximizada, permitindo uma transferência eficiente de calor através do revestimento sem quaisquer barreiras térmicas significativas.

Funcionar como barreira de difusão:

O revestimento SiC do Epitaxy Wafer Carrier também serve como uma barreira de difusão eficaz. Impede a absorção e dessorção de impurezas do material de grafite subjacente, mantendo assim um ambiente de processamento limpo. Isto é especialmente importante na fabricação de semicondutores, onde mesmo níveis mínimos de impurezas podem impactar significativamente as características elétricas do produto final.