Susceptor Planetário ALD

O susceptor planetário Semicorex ALD é importante em equipamentos ALD devido à sua capacidade de suportar condições severas de processamento, garantindo deposição de filme de alta qualidade para uma variedade de aplicações. À medida que a demanda por dispositivos semicondutores avançados com dimensões menores e desempenho aprimorado continua a crescer, espera-se que o uso do Susceptor Planetário ALD no ALD se expanda ainda mais.**

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Descrição do produto

Aplicações:

Deposição dielétrica de alto k: O susceptor planetário ALD mostra excelente resistência a precursores agressivos usados na deposição de materiais dielétricos de alto k, como óxido de háfnio (HfO2) e óxido de alumínio (Al2O3). Isso torna o Susceptor Planetário ALD adequado para a fabricação de transistores de alto desempenho para aplicações lógicas e de memória.

Camadas de metalização: A estabilidade de alta temperatura do Susceptor Planetário ALD permite a deposição de camadas de metalização em temperaturas elevadas, levando a melhores propriedades do filme, como menor resistividade e maior densidade. Isto é crucial para a criação de interconexões eficientes em dispositivos semicondutores avançados.

Fabricação de dispositivos optoeletrônicos:A natureza inerte do Susceptor Planetário ALD minimiza reações indesejadas com precursores usados no depósito de materiais sensíveis como semicondutores III-V, tornando o Susceptor Planetário ALD um ajuste perfeito para a fabricação de LEDs, lasers e outros componentes optoeletrônicos.

Ciclo ALD

Deposição de Camada Atômica (ALD)oferece diversas vantagens importantes sobre outras técnicas de deposição de filmes finos, tornando-a cada vez mais popular para diversas aplicações, particularmente em microeletrônica e nanotecnologia.

Aqui estão algumas das principais vantagens do ALD:

1. Controle de espessura em nível de Angstrom:

ALD permite o controle preciso da espessura do filme até o nível angstrom (0,1 nanômetros). Este nível de precisão é alcançado através de suas reações superficiais autolimitadas, onde cada ciclo deposita uma única camada atômica.

2. Excelente uniformidade e conformidade:

ALD exibe uniformidade excepcional em grandes áreas de superfície e estruturas 3D complexas, incluindo recursos de alta proporção, como trincheiras e vias. Isto é crucial para aplicações que exigem revestimentos uniformes em geometrias complexas, como em dispositivos semicondutores.

3. Baixa temperatura de deposição:

ALD pode ser realizada em temperaturas relativamente baixas (frequentemente abaixo de 300°C) em comparação com outras técnicas de deposição. Isto é vantajoso para substratos sensíveis ao calor e permite a utilização de uma gama mais ampla de materiais.

4. Filmes de alta qualidade:

ALD normalmente produz filmes com excelente densidade, baixos níveis de impurezas e alta uniformidade em composição e espessura. Essas características são essenciais para alcançar um desempenho ideal em diversas aplicações.

5. Ampla seleção de materiais:

ALD oferece uma ampla seleção de materiais que podem ser depositados, incluindo óxidos, nitretos, metais e sulfetos. Essa versatilidade o torna adequado para uma ampla gama de aplicações.

6. Escalabilidade e aplicabilidade industrial:

A tecnologia ALD é altamente escalável e pode ser facilmente integrada aos processos de fabricação existentes. É compatível com vários tamanhos e formatos de substrato, tornando-o adequado para produção de alto volume.