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Porta-wafers de 6'' para Aixtron G5

Porta-wafers de 6'' para Aixtron G5

Semicorex 6'' Wafer Carrier para Aixtron G5 oferece uma infinidade de vantagens para uso em equipamentos Aixtron G5, particularmente em processos de fabricação de semicondutores de alta temperatura e alta precisão.**

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Descrição do produto

Semicorex 6'' Wafer Carrier para Aixtron G5, muitas vezes referido como susceptores, desempenha um papel essencial ao segurar com segurança os wafers semicondutores durante o processamento em alta temperatura. Os susceptores garantem que os wafers permaneçam em uma posição fixa, o que é crucial para a deposição uniforme da camada:


Gerenciamento Térmico:


O transportador de wafer de 6'' para Aixtron G5 foi projetado para fornecer aquecimento e resfriamento uniformes em toda a superfície do wafer, o que é crítico para os processos de crescimento epitaxial usados ​​para criar camadas semicondutoras de alta qualidade.


Crescimento Epitaxial:


Camadas SiC e GaN:

A plataforma Aixtron G5 é usada principalmente para o crescimento epitaxial de camadas de SiC e GaN. Essas camadas são fundamentais na fabricação de transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs), LEDs e outros dispositivos semicondutores avançados.


Precisão e uniformidade:

A alta precisão e uniformidade exigidas no processo de crescimento epitaxial são facilitadas pelas propriedades excepcionais do Wafer Carrier de 6'' para Aixtron G5. O transportador ajuda a atingir a espessura rigorosa e a uniformidade de composição necessárias para dispositivos semicondutores de alto desempenho.




Benefícios:


Estabilidade de alta temperatura:


Tolerância extrema à temperatura:

O Wafer Carrier de 6'' para Aixtron G5 pode suportar temperaturas extremamente altas, muitas vezes excedendo 1600°C. Esta estabilidade é crucial para processos epitaxiais que requerem altas temperaturas sustentadas por longos períodos.


Integridade Térmica:

A capacidade do Wafer Carrier de 6'' para Aixtron G5 de manter a integridade estrutural em temperaturas tão altas garante um desempenho consistente e reduz o risco de degradação térmica, o que pode comprometer a qualidade das camadas semicondutoras.


Excelente condutividade térmica:


Distribuição de Calor:

A alta condutividade térmica do SiC facilita a transferência eficiente de calor através da superfície do wafer, garantindo um perfil de temperatura uniforme. Essa uniformidade é vital para evitar gradientes térmicos que podem levar a defeitos e não uniformidades nas camadas epitaxiais.


Controle de processo aprimorado:

O gerenciamento térmico aprimorado permite melhor controle sobre o processo de crescimento epitaxial, permitindo a produção de camadas semicondutoras de maior qualidade com menos defeitos.


Resistência Química:


Compatibilidade com ambientes corrosivos:

O Wafer Carrier de 6'' para Aixtron G5 oferece resistência excepcional aos gases corrosivos comumente usados ​​em processos CVD, como hidrogênio e amônia. Esta resistência prolonga a vida útil dos transportadores de wafer, protegendo o substrato de grafite contra ataques químicos.


Custos de manutenção reduzidos:

A durabilidade do Wafer Carrier de 6'' para Aixtron G5 reduz a frequência de manutenção e substituições, levando a menores custos operacionais e maior tempo de atividade do equipamento Aixtron G5.


Baixo Coeficiente de Expansão Térmica (CTE):


Estresse térmico minimizado:

O baixo CTE do SiC ajuda a minimizar o estresse térmico durante os rápidos ciclos de aquecimento e resfriamento inerentes aos processos de crescimento epitaxial. Essa redução no estresse térmico diminui a probabilidade de rachaduras ou empenamentos do wafer, o que pode levar à falha do dispositivo.



Compatibilidade com equipamentos Aixtron G5:


Design personalizado:

O suporte de wafer Semicorex 6'' para Aixtron G5 foi projetado especificamente para ser compatível com o equipamento Aixtron G5, garantindo desempenho ideal e integração perfeita.


Desempenho Maximizado:

Esta compatibilidade maximiza o desempenho e a eficiência do sistema Aixtron G5, permitindo-lhe atender aos requisitos exigentes dos modernos processos de fabricação de semicondutores.




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