O anel de foco de carboneto de silício sólido Semicorex é um componente essencial na fabricação de semicondutores, estrategicamente posicionado fora do wafer para manter contato direto. Ao utilizar uma tensão aplicada, este anel concentra o plasma que o atravessa, melhorando assim a uniformidade do processo no wafer. Construído exclusivamente a partir de carboneto de silício por deposição de vapor químico (CVD SiC), este anel de foco incorpora as qualidades excepcionais exigidas pela indústria de semicondutores. Nós da Semicorex nos dedicamos à fabricação e fornecimento de anel de foco de carboneto de silício sólido de alto desempenho que combina qualidade com economia.
Na fabricação de semicondutores, o anel de foco de carboneto de silício sólido Semicorex desempenha um papel crucial, agindo como um escudo, preservando a integridade do wafer durante o processo de gravação. Seu design meticulosamente projetado garante gravação precisa e uniforme, facilitando assim a produção de elementos semicondutores altamente complexos que apresentam desempenho e confiabilidade superiores.
O carboneto de silício é o material escolhido para o anel de focagem devido à sua resistência superior à corrosão do plasma quando exposto ao plasma dentro da câmara de reação a vácuo. O anel de foco de carboneto de silício sólido supera o silício tradicional em vários aspectos, incluindo:
(1) Alta densidade que minimiza as taxas de corrosão.
(2) Gap superior e excelentes propriedades de isolamento.
(3) Condutividade térmica excepcional, baixo coeficiente de expansão térmica e resistência ao choque térmico.
(4) Alta elasticidade aliada a excelente resistência a impactos mecânicos.
(5) Excelente dureza, resistência ao desgaste e resistência à corrosão.
A condutividade e a resistência do carboneto de silício à gravação iônica são semelhantes às do silício, tornando o anel de foco de carboneto de silício sólido um material ideal para esta aplicação.
O anel de foco de carboneto de silício sólido Semicorex se destaca como uma solução de última geração no domínio da fabricação de semicondutores. Ele aproveita as propriedades exclusivas do CVD SiC para facilitar processos de gravação confiáveis e de alto desempenho, contribuindo significativamente para o avanço da tecnologia de semicondutores.