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China Carboneto de Silício Revestido Fabricantes, Fornecedores, Fábrica

O revestimento de SiC é uma camada fina sobre o susceptor através do processo de deposição química de vapor (CVD). O material de carboneto de silício oferece uma série de vantagens sobre o silício, incluindo 10x a resistência do campo elétrico de ruptura, 3x o intervalo de banda, o que fornece ao material alta temperatura e resistência química, excelente resistência ao desgaste, bem como condutividade térmica.

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O revestimento SiC possui várias vantagens exclusivas

Resistência a altas temperaturas: O susceptor revestido com CVD SiC pode suportar altas temperaturas de até 1600°C sem sofrer degradação térmica significativa.

Resistência Química: O revestimento de carboneto de silício oferece excelente resistência a uma ampla gama de produtos químicos, incluindo ácidos, álcalis e solventes orgânicos.

Resistência ao desgaste: O revestimento SiC confere ao material excelente resistência ao desgaste, tornando-o adequado para aplicações que envolvem alto desgaste.

Condutividade Térmica: O revestimento CVD SiC fornece ao material alta condutividade térmica, tornando-o adequado para uso em aplicações de alta temperatura que exigem transferência de calor eficiente.

Alta resistência e rigidez: O susceptor revestido de carboneto de silício confere ao material alta resistência e rigidez, tornando-o adequado para aplicações que requerem alta resistência mecânica.


O revestimento SiC é usado em diversas aplicações

Fabricação de LED: O susceptor revestido com SiC CVD é usado na fabricação de vários tipos de LED, incluindo LED azul e verde, LED UV e LED UV profundo, devido à sua alta condutividade térmica e resistência química.



Comunicação móvel: O susceptor revestido com CVD SiC é uma parte crucial do HEMT para completar o processo epitaxial GaN-on-SiC.



Processamento de semicondutores: O susceptor revestido de CVD SiC é usado na indústria de semicondutores para diversas aplicações, incluindo processamento de wafer e crescimento epitaxial.





Componentes de grafite revestidos com SiC

Feito de grafite Silicon Carbide Coating (SiC), o revestimento é aplicado por um método CVD em graus específicos de grafite de alta densidade, para que possa operar no forno de alta temperatura com mais de 3.000 °C em atmosfera inerte, 2.200 °C em vácuo .

As propriedades especiais e a baixa massa do material permitem taxas de aquecimento rápidas, distribuição uniforme de temperatura e excelente precisão no controle.


Dados materiais do revestimento Semicorex SiC

Propriedades típicas

Unidades

Valores

Estrutura


Fase β do FCC

Orientação

Fração (%)

111 preferido

Densidade aparente

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Capacidade de calor

J kg-1 K-1

640

Expansão térmica 100–600 °C (212–1112 °F)

10-6K-1

4.5

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)

430

Tamanho do grão

μm

2~10

Temperatura de Sublimação

2700

Força Felexural

MPa (TR 4 pontos)

415

Condutividade térmica

(W/mK)

300


Conclusão O susceptor revestido com CVD SiC é um material compósito que combina as propriedades de um susceptor e de carboneto de silício. Este material possui propriedades únicas, incluindo alta temperatura e resistência química, excelente resistência ao desgaste, alta condutividade térmica e alta resistência e rigidez. Essas propriedades o tornam um material atraente para diversas aplicações de alta temperatura, incluindo processamento de semicondutores, processamento químico, tratamento térmico, fabricação de células solares e fabricação de LED.






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Placa transportadora de grafite RTP

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Transportador de revestimento RTP/RTA SiC

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Placa transportadora RTP de grafite SiC para MOCVD

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Placa transportadora RTP revestida com SiC para crescimento epitaxial

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Transportador revestido RTP RTA SiC

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