Cabeça de chuveiro SiC

O chuveiro Semicorex SiC é um componente essencial no processo de crescimento epitaxial, projetado especificamente para melhorar a uniformidade e a eficiência da deposição de filmes finos em wafers semicondutores. O chuveiro SiC é fabricado a partir de carboneto de silício (SiC) a granel. Conhecido por sua excepcional condutividade térmica, resistência mecânica e resistência química, este chuveiro de SiC garante desempenho ideal em ambientes corrosivos e de alta temperatura típicos de reatores epitaxiais.

O formato do chuveiro SiC é meticulosamente projetado para facilitar a distribuição uniforme de gases precursores sobre a superfície do wafer. Seu conjunto de furos perfurados com precisão permite um fluxo controlado e consistente, o que é crucial para obter camadas epitaxiais de alta qualidade com espessura e composição uniformes. Esse design minimiza as reações em fase gasosa e a geração de partículas, contribuindo para rendimentos superiores de wafer e desempenho do dispositivo.

Ideal para uso em ambientes de pesquisa e produção de alto volume, o chuveiro SiC se destaca por sua durabilidade e confiabilidade, reduzindo significativamente o tempo de inatividade para manutenção e os custos operacionais. Sua compatibilidade com vários processos epitaxiais, incluindo Deposição Química de Vapor (CVD), o torna um ativo versátil e inestimável na indústria de fabricação de semicondutores.