Susceptores SiC Epi-Wafer

Você não pode fabricar semicondutores Wide Bandgap (WBG) – essenciais para a revolução dos veículos elétricos (EVs) e 5G – sem estabelecer as propriedades ideais do material por meio do crescimento epitaxial. Os susceptores Semicorex SiC Epi-Wafer foram projetados para uso como base (térmica/estrutural) para epitaxia de SiC e GaN. A combinação degrafite isostática(excelente condutividade térmica) com carboneto de silício depositado por vapor químico (CVD) (extrema resistência química) atinge um kit de processo que permite o maior rendimento e repetibilidade possíveis.

Projetando o ambiente térmico "perfeito"

Para atingir temperaturas de crescimento epitaxiais adequadas (acima de 1.500°C) em uma atmosfera saturada em gases precursores reativos e corrosivos, um transportador de grafite convencional seria degradado após exposição e, portanto, contaminaria o wafer. No entanto, os susceptores SiC Epi-Wafer desenvolvidos pela Semicorex alcançaram uma solução por meio da integração avançada de materiais para fornecer ao processo de epitaxia uma base estável por milhares de horas de processo.

1. Uniformidade Térmica Superior

A função principal de um susceptor é atuar como um dissipador de calor. Nosso núcleo de grafite isostático de alta pureza fornece um campo térmico uniforme em toda a superfície do wafer. Isto minimiza os "pontos quentes" que causam variações na espessura da camada epi e na concentração de dopagem. No mundo da eletrônica de potência, onde a consistência RDS(on) é fundamental, nossos susceptores oferecem a precisão térmica necessária para uniformidade submícron.

2. Encapsulamento hermético de SiC CVD

Utilizamos um processo CVD de última geração para aplicar um revestimento denso e ultrapuro de carboneto de silício. Esta camada não é apenas uma cobertura; é um selo hermético.

Supressão de Partículas: O revestimento evita que o substrato de grafite "poeira" ou libere impurezas como boro ou traços metálicos na câmara de reação.

Inércia Química: NossaRevestimento de SiCé impermeável à corrosão por H2, HCl e amônia (NH3), que são comuns em reatores MOCVD e SiC Epitaxy.

3. Correspondência CTE de precisão

Um dos pontos de falha mais comuns em ferragens revestidas é a delaminação devido ao ciclo térmico. Selecionamos especificamente graus de grafite com um Coeficiente de Expansão Térmica (CTE) que está perfeitamente sincronizado com oRevestimento de SiC. Essa "harmonia de expansão" permite que os susceptores SiC Epi-Wafer suportem ciclos rápidos de aceleração e desaceleração sem rachar ou descascar, estendendo a vida útil do componente em até 300% em comparação com alternativas padrão da indústria.

Otimizado para plataformas globais de reatores

Nossa equipe de engenharia tem ampla experiência no projeto de susceptores para configurações de reatores horizontais e verticais. Fornecemos substituições imediatas e soluções de engenharia personalizada para os sistemas OEM líderes do setor (incluindo plataformas AIXTRON, Veeco e Tokyo Electron).

Esteja você operando um reator planetário ou uma ferramenta de wafer único, nossos susceptores são otimizados para:

Dinâmica do Fluxo de Gás:Bolsas usinadas com precisão para garantir fluxo laminar através do wafer.

Rotação da bolacha:Razões peso-fricção otimizadas para rotação estável e de alta velocidade durante o crescimento.

Tratamento automatizado:Bordas reforçadas para suportar o estresse mecânico da transferência robótica de wafer.