O susceptor revestido de carboneto de silício da Semicorex para plasma indutivamente acoplado (ICP) foi projetado especificamente para processos de manuseio de wafer de alta temperatura, como epitaxia e MOCVD. Com uma resistência estável à oxidação em alta temperatura de até 1600°C, nossos carreadores garantem perfis térmicos uniformes, padrões de fluxo de gás laminar e evitam contaminação ou difusão de impurezas.
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