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O módulo epitaxial SiC da Semicorex combina durabilidade, pureza e engenharia de precisão, que é um componente crítico no crescimento epitaxial do SiC. Escolha Semicorex para obter qualidade incomparável em soluções de grafite revestidas e desempenho de longo prazo em ambientes exigentes.*

Os barcos cerâmicos de semicorex sic fornecem a combinação ideal de pureza, força, resistência térmica e precisão dimensional necessária para as demandas rigorosas do processamento moderno de bolas de semicondutores. *

As mãos do robô semicorex sic são efetores finais ultra limpos e de alta precisão, projetados para transferência de wafer segura e confiável na fabricação de semicondutores. Choose Semicorex para a experiência líder do setor em cerâmica avançada, proporcionando desempenho superior, pureza e personalização confiável pelo semicrondutor dos principais fabricantes do mundo.

O anel de borda sic siC semicorex CVD é um componente de plasma de alto desempenho, projetado para melhorar a uniformidade da gravura e proteger as bordas da wafer na fabricação de semicondutores. Escolha Semicorex para pureza de material incomparável, engenharia de precisão e confiabilidade comprovada em ambientes avançados de processo de plasma.*

Os portadores de wafer revestidos com Semicorex SiC são susceptores de grafite de alta pureza revestidos com carboneto de silício CVD, projetados para suporte ideal para o suporte de bolacha durante processos de semicondutores de alta temperatura. Escolha Semicorex para qualidade de revestimento inigualável, fabricação de precisão e confiabilidade comprovada confiável pelos principais semicondutores Fabs em todo o mundo.*

Os susceptores de bolacha revestidos com Semicorex SiC são transportadores de alto desempenho projetados especificamente para deposição de filmes ultrafinos em condições sem pressionada. Com engenharia avançada de materiais, controle de porosidade de precisão e tecnologia robusta de revestimento SIC, o Semicorex oferece confiabilidade e personalização líderes do setor para atender às necessidades em evolução da fabricação de semicondutores de próxima geração.*