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Substrato Ga2O3

Libere o potencial das aplicações de semicondutores de ponta com nosso substrato Ga2O3, um material revolucionário na vanguarda da inovação em semicondutores. Ga2O3, um semicondutor de banda larga de quarta geração, exibe características incomparáveis que redefinem o desempenho e a confiabilidade dos dispositivos de energia.

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Conjunto de anéis

Libere todo o potencial de seus processos epitaxiais semicondutores com o Semicorex Ring Set – um componente crucial fabricado a partir de grafite revestido de SiC. Projetado para elevar a eficiência e a confiabilidade do seu crescimento epitaxial, este acessório pequeno, porém poderoso, desempenha um papel fundamental para garantir o desempenho ideal em ambientes de fabricação de semicondutores.

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Anel de pré-aquecimento Epi

Aumente a eficiência e a precisão de seus processos epitaxiais de semicondutores com o anel Epi Pre Heat de última geração da Semicorex. Fabricado com precisão em grafite revestido com SiC, este anel avançado desempenha um papel fundamental na otimização do crescimento epitaxial, pré-aquecendo os gases do processo antes de entrarem na câmara.

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Segmentos de cobertura de peças SiC

Semicorex SiC Parts Abdeck Segmenten, um componente crucial na fabricação de dispositivos semicondutores que redefine precisão e durabilidade. Fabricadas em grafite revestido com SiC, essas peças pequenas, porém essenciais, desempenham um papel fundamental no avanço do processamento de semicondutores para novos níveis de eficiência e confiabilidade.

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Disco Planetário

Disco planetário Semicorex, susceptor ou transportador de wafer de grafite revestido com carboneto de silício projetado para processos de epitaxia por feixe molecular (MBE) em fornos de deposição de vapor químico metal-orgânico (MOCVD). A Semicorex está comprometida em fornecer produtos de qualidade a preços competitivos. Esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo na China.

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Anel Guia Revestido TaC

Anel guia revestido Semicorex TaC, um ápice da inovação em fornos de crescimento de cristal único de SiC (carboneto de silício). Meticulosamente projetado para atender às demandas exigentes da indústria de semicondutores, este anel guia promete redefinir seus processos de crescimento de cristal com precisão e confiabilidade incomparáveis.

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