O carboneto de silício (SiC) tem aplicações importantes em áreas como eletrônica de potência, dispositivos de RF de alta frequência e sensores para ambientes resistentes a altas temperaturas devido às suas excelentes propriedades físico-químicas. No entanto, a operação de corte durante o processamen......
consulte Mais informaçãoExistem vários materiais atualmente sob investigação, entre os quais o carboneto de silício se destaca como um dos mais promissores. Semelhante ao GaN, possui tensões operacionais mais altas, tensões de ruptura mais altas e condutividade superior em comparação ao silício. Além disso, graças à sua al......
consulte Mais informaçãoÀ medida que o mundo procura novas oportunidades em semicondutores, o nitreto de gálio continua a destacar-se como um potencial candidato para futuras aplicações de energia e RF. Contudo, apesar de todos os benefícios que oferece, ainda enfrenta um grande desafio; não existem produtos do tipo P (tip......
consulte Mais informaçãoO óxido de gálio (Ga2O3) surgiu como um material promissor para diversas aplicações, particularmente em dispositivos de energia e dispositivos de radiofrequência (RF). Neste artigo, exploramos as principais oportunidades e mercados-alvo para o óxido de gálio nesses domínios.
consulte Mais informaçãoO óxido de gálio (Ga2O3) como um material "semicondutor de bandgap ultralargo" tem atraído atenção constante. Os semicondutores de bandgap ultralargo se enquadram na categoria de "semicondutores de quarta geração" e, em comparação com semicondutores de terceira geração, como carboneto de silício (Si......
consulte Mais informaçãoGrafitização é o processo de transformação de carvão não grafítico em carvão grafítico com estrutura tridimensional ordenada regular de grafite por tratamento térmico de alta temperatura, aproveitando ao máximo o calor da resistência elétrica para aquecer o material de carvão a 2300 ~ 3000 ℃ e trans......
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