GaN versus SiC

Existem vários materiais atualmente sob investigação, entre os quaiscarboneto de silíciodestaca-se como um dos mais promissores. Igual aGaN, possui tensões operacionais mais altas, tensões de ruptura mais altas e condutividade superior em comparação ao silício. Além disso, graças à sua alta condutividade térmica,carboneto de silíciopode ser utilizado em ambientes com temperaturas extremas. Por último, é significativamente menor em tamanho, mas capaz de lidar com maior potência.

EmboraSiCé um material adequado para amplificadores de potência, não é apropriado para aplicações de alta frequência. Por outro lado,GaNé o material preferido para a construção de pequenos amplificadores de potência. No entanto, os engenheiros enfrentaram um desafio ao combinarGaNcom transistores MOS de silício tipo P, pois limitava a frequência e a eficiência doGaN. Embora esta combinação oferecesse capacidades complementares, não era uma solução ideal para o problema.

À medida que a tecnologia avança, os pesquisadores podem eventualmente encontrar dispositivos GaN tipo P ou dispositivos complementares usando diferentes tecnologias que podem ser combinadas comGaN. Até aquele dia, porém,GaNcontinuará a ser limitado pela tecnologia do nosso tempo.

O avanço deGaNa tecnologia requer um esforço colaborativo entre ciência dos materiais, engenharia elétrica e física. Esta abordagem interdisciplinar é necessária para superar as atuais limitações daGaNtecnologia. Se pudermos fazer avanços no desenvolvimento de GaN tipo P ou encontrar materiais complementares adequados, isso não só melhorará o desempenho dos dispositivos baseados em GaN, mas também contribuirá para o campo mais amplo da tecnologia de semicondutores. Isto poderia abrir caminho para sistemas eletrônicos mais eficientes, compactos e confiáveis ​​no futuro.