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Notícias
Luxação em cristais de SiC
O substrato de SiC pode apresentar defeitos microscópicos, como deslocamento do parafuso rosqueado (TSD), deslocamento da borda rosqueada (TED), deslocamento do plano base (BPD) e outros. Esses defeitos são causados por desvios no arranjo dos átomos no nível atômico.
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Sobre defeitos em cristais de SiC - Micropipe
O substrato de SiC pode apresentar defeitos microscópicos, como deslocamento do parafuso rosqueado (TSD), deslocamento da borda rosqueada (TED), deslocamento do plano base (BPD) e outros. Esses defeitos são causados por desvios no arranjo dos átomos no nível atômico. Os cristais de SiC também pode......
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Revestimento TaC
De acordo com os resultados da pesquisa, o revestimento TaC pode atuar como uma camada de proteção e isolamento para prolongar a vida útil dos componentes de grafite, melhorar a uniformidade da temperatura radial, manter a estequiometria de sublimação de SiC, suprimir a migração de impurezas e reduz......
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O que é o processo CVD em semicondutores?
A deposição química de vapor CVD refere-se à introdução de duas ou mais matérias-primas gasosas em uma câmara de reação sob condições de vácuo e alta temperatura, onde as matérias-primas gasosas reagem entre si para formar um novo material, que é depositado na superfície do wafer.
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