O impacto da temperatura nos revestimentos CVD-SiC

A Deposição Química de Vapor (CVD) é uma técnica versátil para produzir revestimentos de alta qualidade com diversas aplicações em indústrias como aeroespacial, eletrônica e ciência de materiais. Os revestimentos CVD-SiC são conhecidos por suas propriedades excepcionais, incluindo resistência a altas temperaturas, resistência mecânica e excelente resistência à corrosão. O processo de crescimento do CVD-SiC é altamente complexo e sensível a diversos parâmetros, sendo a temperatura um fator crítico. Neste artigo, exploraremos os efeitos da temperatura nos revestimentos CVD-SiC e a importância de selecionar a temperatura ideal de deposição.

O processo de crescimento do CVD-SiC é relativamente complexo e pode ser resumido da seguinte forma: em altas temperaturas, o MTS é decomposto termicamente para formar pequenas moléculas de carbono e silício, as principais moléculas fonte de carbono são CH3, C2H2 e C2H4, e as principais moléculas fontes de silício são SiCl2 e SiCl3, etc.; essas pequenas moléculas de carbono e silício são então transportadas por gases transportadores e de diluição para a vizinhança da superfície do substrato de grafite e então são adsorvidas na forma de estado adsorbato. Essas pequenas moléculas serão transportadas para a superfície do substrato de grafite pelo gás transportador e pelo gás de diluição, e então essas pequenas moléculas serão adsorvidas na superfície do substrato na forma de estado de adsorção, e então as pequenas moléculas reagirão com cada outras formam pequenas gotículas e crescem, e as gotículas também se fundem, e a reação é acompanhada pela formação de subprodutos intermediários (gás HCl); devido à alta temperatura da superfície do substrato de grafite, os gases intermediários serão desalojados da superfície do substrato e, em seguida, o C e o Si residuais serão transformados em estado sólido. Finalmente, o C e o Si restantes na superfície do substrato formarão um SiC de fase sólida para formar um revestimento de SiC.

A temperatura emRevestimento CVD-SiCprocessos é um parâmetro crítico que afeta a taxa de crescimento, a cristalinidade, a homogeneidade, a formação de subprodutos, a compatibilidade do substrato e os custos de energia. A escolha de uma temperatura óptima, neste caso, 1100°C, representa um compromisso entre estes factores para alcançar a qualidade e propriedades desejadas do revestimento.