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Notícias
A importância dos materiais porosos de grafite para o crescimento de cristais de SiC
O componente do forno de crescimento de cristal SiC da Semicorex, o barril de grafite poroso, trará três benefícios principais e pode efetivamente fortalecer a competitividade dos substratos domésticos de SiC:
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Aplicações de componentes de grafite revestidos com TaC
No processo de cultivo de monocristais de SiC e AlN pelo método de transporte físico de vapor (PVT), componentes como o cadinho, o suporte do cristal semente e o anel guia desempenham um papel vital. Durante o processo de preparação do SiC, o cristal semente está localizado em uma região de temperat......
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Processo de corte e retificação de substrato
O material do substrato SiC é o núcleo do chip SiC. O processo de produção do substrato é: após a obtenção do lingote de cristal de SiC por meio do crescimento de monocristal; então a preparação do substrato de SiC requer alisamento, arredondamento, corte, retificação (desbaste); polimento mecânico;......
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A primeira empresa de industrialização de substrato de óxido de gálio de 6 polegadas
Recentemente, nossa empresa anunciou que desenvolveu com sucesso um único cristal de óxido de gálio de 6 polegadas usando o método de fundição, tornando-se a primeira empresa industrializada nacional a dominar a tecnologia de preparação de substrato de óxido de gálio único de 6 polegadas.
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Diferenças entre cristais de SiC com estruturas diferentes
O carboneto de silício (SiC) é um material que possui excepcional estabilidade térmica, física e química, apresentando propriedades que vão além das dos materiais convencionais. Sua condutividade térmica é de surpreendentes 84W/(m·K), que não é apenas superior à do cobre, mas também três vezes maior......
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