A importância dos materiais porosos de grafite para o crescimento de cristais de SiC

O componente do forno de crescimento de cristal SiC da Semicorex, obarril de grafite poroso, trará três grandes benefícios e poderá efectivamente reforçar a competitividade da economia nacionalSubstratos de SiC:

• Reduzir o custo dos componentes de crescimento de cristais de SiC;
• Aumente a espessura do cristal SiC e reduza o custo geral do substrato;
• Melhore o rendimento do cristal SiC e aumente a competitividade corporativa.

Adicionar folhas de grafite porosas aos fornos de crescimento de cristais de SiC é um dos pontos quentes da indústria. Está provado que ao inserir umgrafite porosofolhas acima do pó da fonte de SiC, é alcançada uma boa transferência de massa na área do cristal, o que pode melhorar vários problemas técnicos existentes nos fornos tradicionais de crescimento de cristal.

(a) Forno de crescimento de cristal tradicional, (b) Forno de crescimento de cristal com folha de grafite porosa

Fonte: Universidade Dongui, Coreia do Sul

Experimentos mostraram que, ao usar fornos tradicionais de crescimento de cristais, os substratos de SiC geralmente apresentam váriospolimorfos, como 6H e 15R-SiC, enquantoSubstratos de SiCpreparados usando fornos de crescimento de cristais à base de grafite poroso só têmMonocristal 4H-SiC. Além disso, a densidade do microtubo (MPD) e a densidade do poço de gravação (EPD) também são significativamente reduzidas. O MPD dos dois fornos de crescimento de cristais é 6-7EA/cm2 e 1-2EA/cm2 respectivamente, o que pode serreduzido em até 6 vezes.

A Semicorex também lançou um novo processo de "transferência única em massa" baseado emfolhas de grafite porosas. A grafite porosa tem muito bomcapacidade de purificação. O novo processo utiliza um novo campo térmico para transferência de massa primária, o que torna a eficiência de transferência de massa melhorada e basicamente constante, reduzindo assim o impacto da recristalização (evitando a transferência de massa secundária), reduzindo efetivamente o risco de microtúbulos ou outros defeitos cristalinos associados. Além disso, a grafite porosa também é uma das principais tecnologias para resolver o problema do crescimento e espessura do cristal de SiC, porque pode equilibrar os componentes da fase gasosa, isolar vestígios de impurezas, ajustar a temperatura local e reduzir partículas físicas, como o envoltório de carbono. Na premissa de que o cristal pode ser usado,a espessura do cristalpode ser reduzido. pode aumentar significativamente.

Características técnicas deGrafite porosa Semicorex:

A porosidade pode chegar até 65%;

Os poros estão distribuídos uniformemente;

Alta estabilidade de lote;

Alta resistência, pode atingir formato cilíndrico ultrafino ≤1mm.

Semicorex oferece alta qualidadegrafite porosopeças. Se você tiver alguma dúvida ou precisar de detalhes adicionais, não hesite em entrar em contato conosco.

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