O material do substrato SiC é o núcleo do chip SiC. O processo de produção do substrato é: após a obtenção do lingote de cristal de SiC por meio do crescimento de monocristal; então a preparação do substrato de SiC requer alisamento, arredondamento, corte, retificação (desbaste); polimento mecânico;......
consulte Mais informaçãoO carboneto de silício (SiC) é um material que possui excepcional estabilidade térmica, física e química, apresentando propriedades que vão além das dos materiais convencionais. Sua condutividade térmica é de surpreendentes 84W/(m·K), que não é apenas superior à do cobre, mas também três vezes maior......
consulte Mais informaçãoNo campo em rápida evolução da fabricação de semicondutores, mesmo as menores melhorias podem fazer uma grande diferença quando se trata de alcançar desempenho, durabilidade e eficiência ideais. Um avanço que está gerando muita agitação na indústria é o uso do revestimento TaC (Carbeto de Tântalo) e......
consulte Mais informaçãoA indústria de carboneto de silício envolve uma cadeia de processos que inclui criação de substrato, crescimento epitaxial, design de dispositivos, fabricação de dispositivos, embalagem e testes. Em geral, o carboneto de silício é criado como lingotes, que são então fatiados, moídos e polidos para p......
consulte Mais informaçãoO carboneto de silício (SiC) tem aplicações importantes em áreas como eletrônica de potência, dispositivos de RF de alta frequência e sensores para ambientes resistentes a altas temperaturas devido às suas excelentes propriedades físico-químicas. No entanto, a operação de corte durante o processamen......
consulte Mais informaçãoExistem vários materiais atualmente sob investigação, entre os quais o carboneto de silício se destaca como um dos mais promissores. Semelhante ao GaN, possui tensões operacionais mais altas, tensões de ruptura mais altas e condutividade superior em comparação ao silício. Além disso, graças à sua al......
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