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Notícias da indústria

Recozimento

O recozimento após a implantação iônica é uma etapa fundamental na fabricação de dispositivos semicondutores, que afeta o desempenho e a confiabilidade do dispositivo.

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Crescimento de cristais de AlN pelo método PVT

A terceira geração de materiais semicondutores de banda larga, incluindo nitreto de gálio (GaN), carboneto de silício (SiC) e nitreto de alumínio (AlN), exibem excelentes propriedades elétricas, térmicas e acústico-ópticas. Esses materiais atendem às limitações da primeira e segunda geração de mater......

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Tecnologia de Gravura Seletiva SiGe e Si

Uma etapa crítica na fabricação de GAAFETs tipo n envolve a gravação de alta seletividade de pilhas SiGe:Si antes da deposição de espaçadores internos, gerando nanofolhas de silício e liberando canais.

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SiGe na fabricação de chips: uma reportagem profissional

Para atender às demandas de alto desempenho e baixo consumo de energia no domínio da moderna tecnologia de semicondutores, o SiGe (Silicon Germanium) emergiu como um material compósito preferido na fabricação de chips semicondutores devido às suas propriedades físicas e elétricas exclusivas.

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A unidade em semicondutor: Angstrom

Como unidade de comprimento, Angstrom (Å) é onipresente na fabricação de circuitos integrados. Do controle preciso da espessura do material à miniaturização e otimização do tamanho do dispositivo, a compreensão e aplicação da escala Angstrom é o núcleo para garantir o desenvolvimento contínuo da tec......

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Quase US$ 840 milhões: Onsemi adquire uma empresa SiC

Hoje, a Onsemi anunciou em seu site oficial que chegou a um acordo com a Qorvo para adquirir o negócio de tecnologia SiC JFET e a subsidiária da Qorvo.

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