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Notícias da indústria

As perspectivas de aplicação de substratos de carboneto de silício de 12 polegadas

As perspectivas de aplicação de substratos de carboneto de silício de 12 polegadas

O carboneto de silício (SiC), como material semicondutor de amplo bandgap, oferece vantagens incomparáveis ​​em aplicações de alta potência, alta temperatura e alta frequência.

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Método Czochralski

Método Czochralski

Os wafers são cortados de bastões de cristal, produzidos a partir de materiais intrínsecos policristalinos e puros não dopados. O processo de transformação de material policristalino em monocristais por meio de fusão e recristalização é conhecido como crescimento de cristal. Atualmente, dois métodos......

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Fabricação de wafer

Fabricação de wafer

Wafers são matérias-primas essenciais para circuitos integrados, dispositivos de potência e dispositivos semicondutores discretos. Mais de 90% dos circuitos integrados são fabricados com wafers de alta pureza e alta qualidade. A qualidade e a capacidade de fornecimento desses wafers na indústria est......

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Quais desafios estão envolvidos na fabricação de SiC?

Quais desafios estão envolvidos na fabricação de SiC?

No cenário de materiais semicondutores de banda larga, o carboneto de silício (SiC) emergiu como um material altamente considerado, destacando-se particularmente no domínio de conversão de alta potência.

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O que é tecnologia de implantação de íons semicondutores?

O que é tecnologia de implantação de íons semicondutores?

Na fabricação de semicondutores, a implantação iônica envolve o uso de aceleradores de alta energia para injetar átomos de impureza específicos, como arsênico ou boro, em um substrato de silício.

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Recozimento

Recozimento

O recozimento após a implantação iônica é uma etapa fundamental na fabricação de dispositivos semicondutores, que afeta o desempenho e a confiabilidade do dispositivo.

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