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Notícias da indústria

Tecnologia de produção de grafite isostática

A tecnologia de prensagem isostática é um processo crítico na fabricação de grafite isostática, determinando em grande parte o desempenho do produto final. Como tal, a pesquisa abrangente e a otimização da produção de grafite isostática continuam sendo pontos focais essenciais na indústria.

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Progresso da pesquisa de revestimentos TaC em superfícies de materiais à base de carbono

Materiais à base de carbono, como grafite, fibras de carbono e compósitos carbono/carbono (C/C), são conhecidos por sua alta resistência específica, alto módulo específico e excelentes propriedades térmicas, tornando-os adequados para uma ampla gama de aplicações em altas temperaturas. . Esses mater......

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Quais são as aplicações do substrato de nitreto de gálio (GaN)?

O nitreto de gálio (GaN) é um material importante na tecnologia de semicondutores, conhecido por suas excepcionais propriedades eletrônicas e ópticas. GaN, como um semicondutor de banda larga, tem uma energia de banda proibida de aproximadamente 3,4 eV, tornando-o ideal para aplicações de alta potên......

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Desafios técnicos em fornos de crescimento de cristais de carboneto de silício

Os fornos de crescimento de cristais de carboneto de silício (SiC) são a base da produção de wafers de SiC. Embora compartilhem semelhanças com os fornos tradicionais de crescimento de cristais de silício, os fornos de SiC enfrentam desafios únicos devido às condições extremas de crescimento do mate......

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Tecnologia de Purificação de Grafite em Semicondutores SiC

A grafite é vital na produção de semicondutores de carboneto de silício (SiC), conhecidos por suas excepcionais propriedades térmicas e elétricas. Isso torna o SiC ideal para aplicações de alta potência, alta temperatura e alta frequência. Na fabricação de semicondutores SiC, o grafite é comumente u......

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Método de crescimento de cristal GaN

Ao produzir substratos de cristal único GaN de grande porte, o HVPE é atualmente a melhor escolha para comercialização. No entanto, a concentração de portadores traseiros do GaN cultivado não pode ser controlada com precisão.

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