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Notícias da indústria
Quais são as diferenças entre epitaxia e DCV
No processo de deposição de filme fino na fabricação de chips, duas tecnologias são frequentemente mencionadas juntas, mas são fundamentalmente diferentes – epitaxia e deposição de vapor químico. São como primos, ambos pertencentes à família do “crescimento de vapor”, mas com características e ponto......
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Por que o revestimento de carboneto de silício é uma escolha mais inteligente para ambientes de processos exigentes?
Quando engenheiros e equipes de compras procuram componentes que possam sobreviver a condições adversas de processo, o verdadeiro problema raramente é um único modo de falha.
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Tecnologia de processo semicondutor CVD SiC
A tecnologia de processo SiC de Deposição Química de Vapor (CVD) é essencial para a fabricação de eletrônicos de potência de alto desempenho, permitindo o crescimento epitaxial preciso de camadas de carboneto de silício de alta pureza em wafers de substrato. Ao aproveitar o amplo bandgap e a conduti......
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Como selecionar os produtos de grafite ideais para sua aplicação?
Diferentes cenários de aplicação têm requisitos variados de desempenho para produtos de grafite, tornando a seleção precisa do material uma etapa central na aplicação de produtos de grafite. A escolha de componentes de grafite com desempenho adequado aos cenários de aplicação pode não apenas estende......
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Qual é o gradiente de temperatura no campo térmico?
O campo térmico de crescimento de cristal único é a distribuição espacial da temperatura dentro do forno de alta temperatura durante o processo de crescimento de cristal único, que afeta diretamente a qualidade, a taxa de crescimento e a taxa de formação de cristal do único cristal. O campo térmico ......
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Uma breve introdução aos wafers fictícios
A fabricação avançada de semicondutores consiste em várias etapas do processo, incluindo deposição de filme fino, fotolitografia, gravação, implantação iônica e polimento químico-mecânico. Durante este processo, mesmo pequenas falhas no processo podem ter um efeito prejudicial no desempenho e na con......
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