Substrato Ga2O3

Ga2O3 se destaca como um semicondutor de banda larga, garantindo estabilidade e resiliência em condições extremas, tornando-o ideal para ambientes de alta temperatura e alta radiação.

Com alta intensidade de campo de ruptura e valores Baliga excepcionais, o Ga2O3 se destaca em aplicações de alta tensão e alta potência, oferecendo confiabilidade incomparável e baixas perdas de energia.

O Ga2O3 supera os materiais tradicionais com seu desempenho de potência superior. Os valores Baliga para Ga2O3 são quatro vezes maiores que os do GaN e dez vezes maiores que os do SiC, traduzindo-se em excelentes características de condução e eficiência energética. Dispositivos Ga2O3 apresentam perdas de energia de apenas 1/7 do SiC e impressionantes 1/49 dos dispositivos baseados em silício.

A menor dureza do Ga2O3 em comparação com o SiC simplifica o processo de fabricação, resultando em custos de processamento mais baixos. Esta vantagem posiciona o Ga2O3 como uma alternativa econômica para diversas aplicações.

Cultivado usando um método de fusão em fase líquida, o Ga2O3 apresenta qualidade de cristal superior com uma densidade de defeitos notavelmente baixa, superando o SiC, que é cultivado usando um método de fase de vapor.

O Ga2O3 apresenta uma taxa de crescimento 100 vezes mais rápida que o SiC, contribuindo para maior eficiência de produção e, consequentemente, redução de custos de fabricação.

Formulários:

Dispositivos de energia: O substrato Ga2O3 está preparado para revolucionar os dispositivos de energia, oferecendo quatro oportunidades principais:

Dispositivos unipolares substituindo dispositivos bipolares: MOSFETs substituindo IGBTs em aplicações como novos veículos de energia, estações de carregamento, fontes de alimentação de alta tensão, controle de energia industrial e muito mais.

Eficiência Energética Aprimorada: Os dispositivos de energia de substrato Ga2O3 são energeticamente eficientes, alinhando-se com estratégias para neutralidade de carbono e redução de pico de emissões de carbono.

Produção em larga escala: Com processamento simplificado e fabricação de chips econômica, o substrato Ga2O3 facilita a produção em larga escala.

Alta confiabilidade: O substrato Ga2O3 com propriedades de material estáveis ​​e estrutura confiável o torna adequado para aplicações de alta confiabilidade, garantindo longevidade e desempenho consistente.

Dispositivos RF: O substrato Ga2O3 é uma virada de jogo no mercado de dispositivos RF (Radiofrequência). Suas vantagens incluem:

Qualidade do cristal: O substrato Ga2O3 permite crescimento epitaxial de alta qualidade, superando problemas de incompatibilidade de rede associados a outros substratos.

Crescimento econômico: O crescimento econômico do Ga2O3 em grandes substratos, especialmente em wafers de 6 polegadas, o torna uma opção competitiva para aplicações de RF.

Potencial em dispositivos GaN RF: A incompatibilidade mínima de rede com GaN posiciona o Ga2O3 como um substrato ideal para dispositivos GaN RF de alto desempenho.

Abrace o futuro da tecnologia de semicondutores com o substrato Ga2O3, onde propriedades inovadoras atendem a possibilidades ilimitadas. Revolucione suas aplicações de potência e RF com um material projetado para excelência e eficiência.