Epitaxia Ga2O3

Entre em uma nova era de excelência em semicondutores com Semicorex Ga2O3 Epitaxy, uma solução inovadora que redefine os limites de potência e eficiência. Projetada com precisão e inovação, a epitaxia Ga2O3 oferece uma plataforma para dispositivos de próxima geração, prometendo desempenho incomparável em diversas aplicações.

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Descrição do produto

A epitaxia Ga2O3, derivada do semicondutor de banda larga de quarta geração, introduz um novo nível de estabilidade de desempenho e confiabilidade em ambientes extremos. Sua natureza de banda larga o posiciona como um material de escolha para aplicações de alta temperatura e alta radiação.

Força de campo de alta ruptura: Beneficie-se da excepcional força de campo de ruptura do Ga2O3 e dos elevados valores de Baliga, tornando-o um material incomparável para aplicações de alta tensão e alta potência. A epitaxia Ga2O3 garante maior confiabilidade e perdas mínimas de energia.

A epitaxia Ga2O3 se destaca por sua eficiência energética superior. Com valores de Baliga quatro vezes maiores que o GaN e dez vezes maiores que o SiC, apresenta excelentes características de condução. Os dispositivos epitaxiais Ga2O3 exibem perdas de energia de apenas 1/7 do SiC e impressionantes 1/49 dos dispositivos baseados em silício.

A menor dureza da epitaxia Ga2O3 simplifica o processo de fabricação, resultando em custos de processamento reduzidos. Essa vantagem posiciona a epitaxia Ga2O3 como uma solução econômica e escalonável para uma variedade de aplicações.