Substratos de óxido de gálio de 4"

Os substratos de óxido de gálio de 4" da Semicorex apresentam excelente estabilidade química e térmica, garantindo que seu desempenho permaneça consistente e confiável mesmo sob condições extremas. Essa robustez é crucial em aplicações que envolvem altas temperaturas e ambientes reativos. Além disso, os substratos de óxido de gálio de 4" mantêm excelente transparência óptica. em uma ampla faixa de comprimento de onda, do ultravioleta ao infravermelho, tornando-o atraente para aplicações optoeletrônicas, incluindo diodos emissores de luz e diodos laser.

Com um bandgap variando de 4,7 a 4,9 eV, os substratos de óxido de gálio de 4" superam significativamente o carboneto de silício (SiC) e o nitreto de gálio (GaN) em intensidades de campo elétrico críticas, atingindo até 8 MV/cm em comparação com os 2,5 MV/cm do SiC e Os 3,3 MV/cm do GaN, combinados com uma mobilidade de elétrons de 250 cm²/Vs e maior transparência na condução de eletricidade, dão aos substratos de óxido de gálio de 4" uma vantagem significativa em eletrônica de potência. O valor de mérito de seu Baliga excede 3.000, várias vezes o de GaN e SiC, indicando eficiência superior em aplicações de energia.

Os substratos de óxido de gálio Semicorex 4" são particularmente vantajosos para uso em veículos de comunicação, radar, aeroespacial, ferroviário de alta velocidade e novas energias. Eles são excepcionalmente adequados para sensores de detecção de radiação nesses setores, especialmente em alta potência, alta temperatura, e dispositivos de alta frequência onde o Ga2O3 apresenta vantagens significativas sobre o SiC e o GaN.