Chuveiros CVD SiC

Os chuveiros Semicorex CVD SiC são usados ​​para gravação CCP. Os gravadores CCP usam dois eletrodos paralelos (um aterrado e o outro conectado a uma fonte de energia de RF) para gerar plasma. O plasma é mantido entre os dois eletrodos pelo campo elétrico entre eles. Os eletrodos e a placa de distribuição de gás são integrados em um único componente. O gás de gravação é pulverizado uniformemente na superfície do wafer através de pequenos orifícios nos chuveiros CVD SiC. Simultaneamente, uma tensão de RF é aplicada ao chuveiro (também ao eletrodo superior). Esta tensão gera um campo elétrico entre os eletrodos superior e inferior, excitando o gás para formar um plasma. Este design resulta em uma estrutura mais simples e compacta, ao mesmo tempo que garante uma distribuição uniforme de moléculas de gás e um campo elétrico uniforme, permitindo a gravação uniforme até mesmo de wafers grandes.

Os chuveiros CVD SiC também podem ser aplicados na gravação ICP. Os gravadores ICP usam uma bobina de indução (normalmente um solenóide) para gerar um campo magnético de RF, que induz corrente e plasma. Os chuveiros CVD SiC, como um componente separado, são responsáveis ​​por distribuir uniformemente o gás de ataque na região do plasma.

O chuveiro CVD SiC é um componente fabricado com alta pureza e precisão para equipamentos de processamento de semicondutores que é fundamental para a distribuição de gás e capacidade de eletrodo. Utilizando a fabricação por deposição química de vapor (CVD), o chuveiro atinge resultados excepcionais

pura pureza de materiais e excelente controle dimensional que atende aos rigorosos requisitos da futura fabricação de semicondutores.