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Substratos de nitreto de alumínio
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Substratos de nitreto de alumínio

Os substratos de nitreto de alumínio semicorex fornecem uma solução avançada para aplicações de filtro RF de alto desempenho, oferecendo propriedades piezoelétricas superiores, alta condutividade térmica e excelente estabilidade. A escolha do semicorex garante o acesso a recursos de qualidade, tecnologia de ponta e de ponta e de ponta e capacidades de fabricação escalonáveis, tornando-o o parceiro ideal para componentes eletrônicos 5G e de próxima geração.*

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Descrição do produto

Definições de substratos de nitreto de alumínio semicorex apontam para modelos de nitreto de alumínio à base de silício. À medida que a era do 5G se desenrola, as aplicações de alta frequência estão ganhando força rapidamente. A expansão e desenvolvimento de redes 5G impulsionam as demandas por bandas mais e mais frequências, além de frequências operacionais mais altas. A onda tem, de sua parte, requisitos aumentados proporcionalmente na quantidade e na qualidade dos filtros de RF. Para permitir que a indústria de fabricação de filtro de RF de alto desempenho seja um requisito essencial para materiais de substrato piezoelétrico com alta qualidade.


Os substratos de nitreto de alumínio semicondutores de banda ultra larga são um material de imenso potencial de aplicação, devido a muitas propriedades pendentes, como um material potencial para uso avançado em eletrônicos e optoeletrônicos. O BandGap de até 6,2 EV demonstra o requisito de força para ruptura de alto campo, velocidade de desvio de elétrons de alta saturação, estabilidade química e térmica. bem como condutividade térmica superior e resistência à radiação. Essas características fazem do ALN um material indispensável em dispositivos eletrônicos de alto desempenho, particularmente em tecnologias de comunicação 5G.


Comparado aos materiais piezoelétricos tradicionais, como óxido de zinco (ZnO), titanato de zirconato de chumbo (PZT) e tantalato de lítio/niobato de lítio (LT/LN), os substratos de nitreto de alumínio exibem propriedades excepcionais que os tornam altamente suitivos para filtros de 5g RF. Essas propriedades incluem alta resistividade elétrica, excelente condutividade térmica, estabilidade superior e velocidade de propagação de ondas acústicas ultra-rápidas. Especificamente, a velocidade de onda longitudinal do ALN atinge aproximadamente 11.000 m/s, enquanto a velocidade da onda transversal é de cerca de 6.000 m/s. Essas características posicionam o ALN como um dos materiais piezoelétricos mais ideais para ondas acústicas da superfície de alta eficiência (SAW), onda acústica a granel (BAW) e filtros de RF de RF de ressonamento acústico em massa (FBAR).


Os substratos de nitreto de alumínio são projetados principalmente para o mercado de materiais piezoelétricos em filtros de front-end 5G RF. A qualidade e os principais parâmetros deste produto foram rigorosamente testados e verificados por instituições autoritárias de terceiros e avaliações de processamento em nível de wafer. Essas avaliações confirmaram que o produto atende e até excede os padrões internacionais. Além disso, a tecnologia necessária para a fabricação em larga escala já foi estabelecida, garantindo a produção e a oferta em massa estáveis ​​para atender às demandas do mercado.


A implantação de redes 5G requer o uso de filtros de RF altamente eficientes e confiáveis ​​para lidar com o número crescente de bandas de frequência. Os substratos ALN desempenham um papel crítico na fabricação dos filtros SAW, BAW e FBAR, que são componentes essenciais nos módulos front-end de RF. Esses filtros permitem seleção precisa de frequência, amplificação de sinal e redução de interferência, garantindo transmissão de dados suave e de alta velocidade em dispositivos de comunicação 5G, como smartphones, estações base e aplicativos de IoT.


Além disso, os substratos de nitreto de alumínio não se limitam apenas aos filtros de RF. Eles também têm aplicações promissoras em eletrônicos de energia, transistores de alta frequência, dispositivos optoeletrônicos e comunicações de satélite. Sua capacidade de suportar altas tensões e operar em condições extremas os torna uma escolha atraente para os componentes eletrônicos de próxima geração.


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