Aln single cristal wafer

A bolacha de cristal única semicorex ALN é um avanço revolucionário na tecnologia de semicondutores, oferecendo uma combinação única de propriedades elétricas, térmicas e mecânicas excepcionais. Como um material semicondutor de banda ultra larga com um bandGap de 6,2 eV, o ALN é cada vez mais reconhecido como o substrato ideal para dispositivos optoeletrônicos de alta potência, alta frequência e ultravioleta profunda (UV). Essas propriedades posicionam ALN como uma alternativa superior a substratos tradicionais como safira, carboneto de silício (sic) e nitreto de gálio (GaN), particularmente em aplicações que exigem estabilidade térmica extrema, alta tensão de ruptura e condutividade térmica superior.

Atualmente, a wafer de cristal único ALN está disponível comercialmente em tamanhos de até 5 cm de diâmetro. À medida que os esforços de pesquisa e desenvolvimento continuam, espera -se que os avanços nas tecnologias de crescimento de cristais permitam tamanhos maiores de bolacha, aumentando a escalabilidade da produção e reduzindo os custos para aplicações industriais.

Semelhante ao crescimento de cristal único SiC, os cristais únicos de ALN não podem ser cultivados pelo método de fusão, mas só podem ser cultivados pelo transporte de vapor físico (PVT).

Existem três estratégias de crescimento importantes para o crescimento da PVT de cristal único ALN:

1) Crescimento espontâneo de nucleação

2) crescimento heteroepitaxial em substrato 4H-/6H-SiC

3) Crescimento homoepitaxial

O Wafer de cristal único ALN é distinguido por seu bandGap de 6,2 eV, o que garante isolamento elétrico excepcional e desempenho UV profundo sem paralelo. Essas bolachas ostentam um campo elétrico de ruptura alto que excede o de SiC e GaN, posicionando-os como a escolha ideal para dispositivos eletrônicos de alta potência. Com uma impressionante condutividade térmica de aproximadamente 320 W/MK, eles garantem dissipação de calor eficiente, um requisito crítico para aplicações de alta potência. O ALN não é apenas quimicamente e termicamente estável, mas também mantém o melhor desempenho em ambientes extremos. Sua resistência superior à radiação o torna uma opção incomparável para aplicações espaciais e nucleares. Além disso, suas notáveis ​​propriedades piezoelétricas, alta velocidade de serra e forte acoplamento eletromecânico o estabelecem como um excelente candidato a dispositivos, filtros e sensores de serra no nível da GHZ.

O Wafer de cristal único ALN encontra aplicações extensas em vários dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos de alto desempenho. Eles servem como substrato ideal para optoeletrônicos de ultravioleta profundo (DUV), incluindo LEDs UV profundos que operam na faixa de 200-280 nm para esterilização, purificação de água e aplicações biomédicas, bem como diodos a laser UV (LDS) usados ​​em fields industriais e médicos avançados. O ALN também é amplamente utilizado em dispositivos eletrônicos de alta potência e de alta frequência, particularmente em componentes de radiofrequência (RF) e microondas, onde sua alta tensão de ruptura e baixa dispersão de elétrons garantem desempenho superior em amplificadores de potência e sistemas de comunicação. Além disso, ele desempenha um papel crucial na eletrônica de energia, aumentando a eficiência de inversores e conversores em veículos elétricos, sistemas de energia renovável e aplicações aeroespaciais. Além disso, as excelentes propriedades piezoelétricas do ALN e a alta velocidade de serra o tornam um material ideal para dispositivos de onda acústica de superfície (SAW) e onda acústica a granel (BAW), essenciais para telecomunicações, processamento de sinais e tecnologias de detecção. Devido à sua excepcional condutividade térmica, a ALN também é um material-chave em soluções de gerenciamento térmico para LEDs de alta potência, diodos a laser e módulos eletrônicos, fornecendo dissipação de calor eficaz e melhorando a longevidade do dispositivo.

A bolsa de cristal única semicorex aln representa o futuro dos substratos semicondutores, oferecendo propriedades elétricas, térmicas e piezoelétricas incomparáveis. Suas aplicações em optoeletrônicos UV profundos, eletrônicos de potência e dispositivos de ondas acústicas os tornam um material altamente procurado para a tecnologia de próxima geração. À medida que os recursos de fabricação continuam a melhorar, as bolachas ALN se tornarão um componente indispensável dos dispositivos semicondutores de alto desempenho, abrindo caminho para avanços inovadores em vários setores.