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Substrato de wafer de nitreto de alumínio de 30 mm

Os atributos exclusivos do substrato Wafer de nitreto de alumínio Semicorex de 30 mm o tornam um substrato ideal para LEDs ultravioleta (UV), detectores UV, lasers UV e a próxima geração de dispositivos RF 5G de alta potência/alta frequência. Nas comunicações sem fio, as propriedades do substrato Wafer de nitreto de alumínio de 30 mm facilitam o desenvolvimento de dispositivos capazes de lidar com alta potência e frequências essenciais para tecnologias 5G, melhorando a transmissão e recepção de sinais. Além disso, em áreas como saúde e militar, dispositivos baseados em AlN são empregados em fototerapia médica para tratamento de doenças de pele, descoberta de medicamentos por meio de terapias fotodinâmicas e tecnologias de comunicação seguras no setor aeroespacial, ressaltando a versatilidade do substrato de wafer de nitreto de alumínio de 30 mm e o papel crítico nos avanços tecnológicos em todo o mundo. diversos setores.

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Descrição do produto

Os substratos de substrato de wafer de nitreto de alumínio Semicorex 30 mm apresentam propriedades notáveis, essenciais para aplicações avançadas de semicondutores. Seu amplo bandgap permite que os dispositivos operem em altas tensões e temperaturas, minimizando o vazamento elétrico, crucial para a eletrônica de potência. A alta condutividade térmica do substrato wafer de nitreto de alumínio de 30 mm é fundamental no gerenciamento do calor gerado em dispositivos de alta potência, melhorando efetivamente a confiabilidade e o desempenho do dispositivo. Além disso, o alto campo de ruptura do substrato wafer de nitreto de alumínio de 30 mm permite dispositivos que podem suportar altos campos elétricos sem quebra, ideal para aplicações que exigem alta densidade de potência e eficiência.

Os substratos de substrato de wafer de nitreto de alumínio de 30 mm exibem alta mobilidade de elétrons, o que se traduz em dispositivos eletrônicos mais rápidos com melhor resposta de frequência. Esta característica é particularmente benéfica na fabricação de dispositivos de radiofrequência (RF) e eletrônicos de alta velocidade, onde são necessários rápidos processamento e transmissão de sinais. Além disso, a resistência à corrosão e à radiação do substrato Wafer de nitreto de alumínio de 30 mm o torna uma escolha excepcional para ambientes agressivos, como aplicações espaciais, onde os materiais são expostos a gases corrosivos e altos níveis de radiação. Essa resiliência garante confiabilidade e funcionalidade de dispositivos a longo prazo sob condições extremas, tornando o substrato de wafer de nitreto de alumínio de 30 mm um substrato ideal para dispositivos optoeletrônicos e componentes eletrônicos de alta potência/alta frequência.

Atualmente oferecemos aos nossos clientes produtos padronizados de substrato de cristal único de nitreto de alumínio de alta qualidade com dimensões de 10x10mm, Φ10mm, Φ15mm, Φ20mm, Φ25,4mm, Φ30mm e Φ50,8mm. Além disso, também fornecemos substratos de cristal único de nitreto de alumínio de face M não polares na faixa de 10-20 mm. Para necessidades personalizadas, podemos personalizar fatias de polimento de substrato de cristal único de nitreto de alumínio variando de 5 mm a 50,8 mm. Essa ampla gama de ofertas atende a uma infinidade de necessidades dos clientes e permite a exploração de diversas fronteiras tecnológicas.