Suporte de pedestal de revestimento TaC

O Suporte de Pedestal de Revestimento Semicorex TaC tem um papel fundamental no suporte mecânico, mas também no controle do fluxo do processo. Ele está localizado abaixo do susceptor principal ou transportador de wafer quando usado no reator. Ele trava o conjunto rotativo na posição, mantém o equilíbrio térmico no pedestal e gerencia um fluxo de gás saudável abaixo da zona do wafer. O suporte de pedestal de revestimento TaC é feito para ambas as funções, incluindo uma base de grafite construída construtivamente que é revestida com uma camada uniformemente densa de carboneto de tântalo (TaC) por deposição química de vapor (CVD).

O Carboneto de Tântalo é um dos materiais mais refratários e quimicamente inertes disponíveis, com ponto de fusão acima de 3800 °C e grande resistência à corrosão e erosão. Quando o CVD é empregado para produzirRevestimentos TaC, o resultado final é um revestimento liso e denso que protege o substrato de grafite contra oxidação em alta temperatura, corrosão por amônia e reação de precursor metal-orgânico. Sob exposição prolongada a gases corrosivos ou ciclos térmicos extremos associados a processos epitaxiais, o suporte do pedestal resiste, mantendo a estabilidade estrutural e química.

Desempenhando múltiplas funções críticas, o revestimento CVD TaC atua como uma barreira protetora, evitando que qualquer potencial contaminação por carbono do revestimento de grafite e do substrato entre no ambiente do reator ou impacte o wafer. Em segundo lugar, proporciona inércia química, mantendo uma superfície limpa e estável tanto em atmosferas oxidantes como redutoras. Isto evita reações indesejadas entre os gases do processo e o hardware do reator, garantindo que a química da fase gasosa permaneça controlada e que a uniformidade do filme seja preservada.

A importância do suporte do pedestal no controle do fluxo de gás deve ser igualmente observada. Um aspecto fundamental no processo de deposição epitaxial é garantir a uniformidade dos gases do processo que fluem sobre toda a superfície do wafer para alcançar um crescimento consistente da camada. O suporte do pedestal de revestimento TaC é usinado com precisão para controlar canais e geometrias de fluxo de gás, o que ajudará a direcionar os gases do processo de maneira suave e uniforme para a zona de reação. Ao controlar o fluxo laminar, a turbulência é minimizada, as zonas mortas são eliminadas e ocorre um ambiente de gás mais estável. Tudo isso contribui para uma uniformidade superior da espessura do filme e melhor qualidade epitaxial.

ORevestimento TaCfornece alta condutividade térmica e emissividade, o que também permite que o suporte do pedestal conduza e irradie calor de forma eficiente. Isto também levará a uma melhor uniformidade geral da temperatura no susceptor e no wafer, com gradientes de temperatura mais baixos, produzindo menos variação no crescimento do cristal. Além disso, o TaC oferece excepcional resistência à oxidação, o que garantirá que a emissividade permaneça consistente durante operações de longo prazo, garantindo calibração precisa de temperatura e desempenho repetível do processo.

O Suporte de Pedestal de Revestimento TaC possui alta durabilidade mecânica, proporcionando maior vida útil operacional. O processo de revestimento CVD, especificamente, cria uma ligação molecular sólida entre a camada de TaC e o substrato de grafite para evitar delaminação, rachaduras ou descamação devido ao estresse térmico. É, portanto, um componente que beneficia de centenas de ciclos de alta temperatura sem degradação.