TAC CAMATE MEIA LUMA PARTE

A peça de meia-lua do revestimento semicorex TAC é um componente de alto desempenho projetado para uso em processos de epitaxia SiC nos fornos de epitaxia LPE. Escolha Semicorex para obter qualidade incomparável, engenharia de precisão e compromisso de avançar a excelência em fabricação de semicondutores.*

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Descrição do produto

O semicorex TAC revestimento a parte de meia-lua é um componente de engenharia de precisão adaptada para processos de epitaxia SiC em fornos de epitaxia de LPE. Projetado com um revestimento de carboneto de tântalo de alta pureza (TAC), esta parte oferece estabilidade térmica e química excepcional, garantindo o desempenho ideal em ambientes de alta temperatura.

As peças semicorex tac de revestimento de meia-lua são criadas para atender às demandas rigorosas da fabricação avançada de semicondutores. O revestimento TAC fornece resistência superior à corrosão e oxidação, estendendo a vida útil do componente e mantendo o desempenho consistente em relação aos ciclos operacionais prolongados. Seu projeto de meia-lua aumenta a uniformidade no crescimento da camada epitaxial, melhorando a qualidade do cristal e a confiabilidade do processo.

A cerâmica TAC tem um ponto de fusão de até 3880 ° C, alta dureza (dureza MOHS 9-10), condutividade térmica grande (22W · M-1 · K-1), grande resistência à flexão (340-400mpA) e coeficiente de expansão térmica pequena (6,6 × 10-6k-1). Eles também exibem excelente estabilidade termoquímica e excelentes propriedades físicas e têm boa compatibilidade química e mecânica com compósitos de grafite e C/C. Portanto, os revestimentos TAC são amplamente utilizados em proteção térmica aeroespacial, crescimento de cristal único, eletrônica de energia e dispositivos médicos.

A grafite revestida de TAC possui melhor resistência à corrosão química do que a grafite nua ou grafite revestida com SiC, pode ser usada de forma estável a altas temperaturas de 2600 ° e não reage com muitos elementos metálicos. É o melhor revestimento nos cenários de crescimento de cristal único de terceira geração semicondutores e gravura de wafer e pode melhorar significativamente o controle da temperatura e as impurezas no processo e preparar bolachas de carboneto de silício de alta qualidade e bolachas epitaxiais relacionadas. É especialmente adequado para cultivar cristais únicos GaN ou ALN com equipamentos MOCVD e cultivar cristais únicos SiC com equipamento de PVT. A qualidade dos cristais únicos adultos é significativamente melhorada.

Este produto é uma solução ideal para os fabricantes priorizando precisão, eficiência e durabilidade em seus processos de epitaxia. Trust Semicorex para soluções de alto desempenho projetadas para atender às necessidades em evolução da indústria de semicondutores.

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