Halfmoon revestido com Semicorex TaC oferece vantagens atraentes no crescimento epitaxial de carboneto de silício (SiC) para eletrônica de potência e aplicações de RF. Esta combinação de materiais aborda desafios críticos na epitaxia de SiC, permitindo maior qualidade do wafer, maior eficiência do processo e redução dos custos de fabricação. Nós da Semicorex nos dedicamos a fabricar e fornecer Halfmoon revestido com TaC de alto desempenho que combina qualidade com economia.**
O Halfmoon revestido com Semicorex TaC mantém sua integridade estrutural e inércia química nas temperaturas elevadas (até 2.200°C) necessárias para a epitaxia de SiC. Isto garante um desempenho térmico consistente e evita reações indesejadas com gases de processo ou materiais de origem. E pode ser projetado para otimizar a condutividade térmica e a emissividade, promovendo distribuição uniforme de calor em toda a superfície do susceptor. Isto leva a perfis de temperatura de wafer mais homogêneos e melhor uniformidade na espessura da camada epitaxial e na concentração de dopagem. Além disso, o coeficiente de expansão térmica do Halfmoon revestido com TaC pode ser adaptado para corresponder ao do SiC, minimizando o estresse térmico durante os ciclos de aquecimento e resfriamento. Isso reduz o arqueamento do wafer e o risco de formação de defeitos, contribuindo para maiores rendimentos do dispositivo.
O Halfmoon revestido com TaC prolonga significativamente a vida útil dos susceptores de grafite em comparação com alternativas não revestidas/revestidas com SiC. A resistência aprimorada à deposição de SiC e à degradação térmica reduz a frequência dos ciclos de limpeza e substituição, reduzindo os custos gerais de fabricação.
Benefícios para o desempenho do dispositivo SiC:
Confiabilidade e desempenho aprimorados do dispositivo:A uniformidade aprimorada e a densidade reduzida de defeitos nas camadas epitaxiais cultivadas no Halfmoon revestido com TaC se traduzem em rendimentos mais elevados do dispositivo e desempenho aprimorado em termos de tensão de ruptura, resistência de ligação e velocidade de comutação.
Solução econômica para fabricação de alto volume:A vida útil prolongada, os requisitos de manutenção reduzidos e a qualidade aprimorada do wafer contribuem para um processo de fabricação mais econômico para dispositivos de energia SiC.
Halfmoon revestido com Semicorex TaC desempenha um papel crítico no avanço da epitaxia de SiC, abordando os principais desafios relacionados à compatibilidade de materiais, gerenciamento térmico e contaminação de processos. Isto permite a produção de wafers de SiC de maior qualidade, levando a dispositivos eletrônicos de potência mais eficientes e confiáveis para aplicações em veículos elétricos, energia renovável e outras indústrias exigentes.