O wafer SICOI, um wafer composto isolante de carboneto de silício feito por uma técnica especial, é utilizado principalmente em circuitos integrados fotônicos e sistemas microeletromecânicos (MEMS). Esta estrutura composta combina as excelentes propriedades do carboneto de silício com as características de isolamento dos isoladores, melhorando significativamente o desempenho geral dos dispositivos semicondutores e fornecendo soluções ideais para dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos de alto desempenho.
NÓS SOMOSbolachaé um material semicondutor composto com uma estrutura de três camadas feita usando um método exclusivo.
A camada inferior da estrutura do wafer SICOI é um substrato de silício, que fornece suporte mecânico confiável para garantir a estabilidade estrutural do wafer SICOI. Sua condutividade térmica ideal reduz o impacto do acúmulo de calor no desempenho dos dispositivos semicondutores, permitindo-lhes operar normalmente por um longo período, mesmo em alta potência. Além disso, o substrato de silício é compatível com os equipamentos e máquinas utilizados atualmente na fabricação de semicondutores. Isso reduz com êxito os custos e a complexidade de fabricação, ao mesmo tempo que acelera a pesquisa e o desenvolvimento de produtos e a produção em massa.
Localizada entre o substrato de silício e a camada do dispositivo SiC, a camada isolante de óxido é a camada intermediária do wafer SICOI. Ao isolar os caminhos de corrente entre as camadas superior e inferior, a camada isolante de óxido reduz efetivamente o risco de curto-circuitos e garante o desempenho elétrico estável dos dispositivos semicondutores. Devido à sua característica de baixa absorção, pode reduzir significativamente o espalhamento óptico e melhorar a eficiência de transmissão do sinal óptico de dispositivos semicondutores.
A camada do dispositivo de carboneto de silício é a camada funcional fundamental da estrutura do wafer SICOI. É essencial para alcançar funções eletrônicas, fotônicas e quânticas de alto desempenho devido à sua excepcional resistência mecânica, alto índice de refração, baixa perda óptica e notável condutividade térmica.
As aplicações das bolachas do SICOI:
1.Para fabricar dispositivos ópticos não lineares, como pente de frequência óptica.
2.Para fabricação de chips fotônicos integrados.
3.Para fabricação de modulador eletro-óptico
4.Para fabricar dispositivos eletrônicos de potência, como interruptores de energia e dispositivos de RF.
5.Para fabricação de sensores MEMS como acelerômetro e giroscópio.