Pás SiC

As pás Semicorex SiC são os “transportadores” dos wafers, levando-os a fornos com temperaturas superiores a 1.000 graus Celsius. Este é o seu principal benefício: alta pureza, estabilidade em altas temperaturas, para manter a rigidez mecânica ao transportar a amostra em ambientes extremos. Materiais de alta pureza são eficazes para evitar que impurezas metálicas contaminem o wafer; o mesmo acontece com a estabilidade de alta temperatura decarboneto de silício, pois manterá a estabilidade química em temperaturas de processamento que impedem a liberação de gases de impurezas metálicas ou partículas que contaminem o wafer, garantindo um rendimento estável do wafer. Por último,pás cantilevertambém são compatíveis com sistemas integrados de transferência de wafer, diminuindo ainda mais a dependência de humanos e aumentando o rendimento.

Os SiC Paddles são componentes exclusivos do transportador, especificamente para o transporte e integração de wafer semicondutor em uma carga de trabalho em lote em processos como oxidação e difusão em alta temperatura, entre outros. Feito com alta purezacarboneto de silício (SiC), as pás de SiC fornecem estabilidade térmica, resistência mecânica e durabilidade química para garantir um transporte estável acima de temperaturas de 1000 °C. As pás de SiC são necessárias para o processamento de wafers: elas garantirão que substratos frágeis possam ser manuseados adequadamente, mantendo a integridade e a consistência durante todo o processo de oxidação, difusão e recozimento.

Projetados para serem robustos e confiáveis, os SiC Paddles são braços do tipo cantilever que suportam barcos ou pilhas de wafer. A pá suporta wafers enquanto eles estão sendo inseridos ou removidos da câmara de processo. Os materiais convencionais falham nessas altas temperaturas devido à deformação, empenamento ou degradação química. A estabilidade mecânica e a integridade estrutural do carboneto de silício permitem que a pá sobreviva a vários ciclos térmicos sem perda de forma ou função. Esta capacidade é importante para manter o alinhamento do forno, garantindo que os wafers não sejam danificados durante o processo e minimizando o dispendioso tempo de inatividade.

A estabilidade térmica das pás de SiC é complementada pela sua excelente resistência química a gases reativos que normalmente aparecem em processos de oxidação e difusão (por exemplo, oxigênio, cloro e outras espécies agressivas em alta temperatura). Muitos materiais serão destruídos ou contaminados quando expostos a altas temperaturas e oxigênio. O carboneto de silício é quimicamente inerte e sua microestrutura densa garante que não ocorrerão reações químicas, proporcionando integridade estrutural da pá e um ambiente limpo para o wafer. O risco resultante de contaminação é reduzido ao mínimo para fabricantes de semicondutores que operam em alguns dos nós de processo mais avançados, para os quais até mesmo vestígios de contaminantes podem induzir alterações significativas no desempenho do dispositivo.

A integridade mecânica associada às pás SiC também agrega valor nos processos de manuseio. A forma estrutural cantilever requer um material que possa suportar pesos de pilhas de camadas e não flexione ou ceda. O módulo muito alto e a dureza muito alta do carboneto de silício o tornam uma boa consideração para a função estrutural mecânica necessária. O SiC Paddle mantém o nivelamento e a estrutura mesmo carregado com wafers. Isto significa controle constante do forno e de suas condições durante longos períodos de produção.