Pá Cerâmica SiC

A pá de cerâmica Semicorex SiC é uma peça avançada que foi desenvolvida para aplicações em fornos semicondutores de alta temperatura, como oxidação e difusão. A pá atua como suporte cantilever para segurar e mover os wafers em altas temperaturas. A pá de cerâmica Semicorex SiC fornece componentes cerâmicos de alta pureza e alta resistência para processos de alta temperatura que exigem confiabilidade, estabilidade e desempenho exigentes durante o processo de produção.

As pás são produzidas a partir de alta purezacarboneto de silício (SiC), formulado especificamente para suportar os ambientes térmicos e químicos difíceis de um processo de fabricação de semicondutores. Quando os wafers são tratados por oxidação e difusão, os wafers são expostos a temperaturas superiores a 1000 graus C, bem como a gases reativos, como oxigênio, vapor ou atmosferas dopantes. A estas temperaturas, a integridade estrutural dependerá da pureza do material.

Outra característica importante das pás cerâmicas de SiC é o seu excelente desempenho em altas temperaturas. Devido ao ponto de fusão do SiC de 2700+C, as pás retêm resistência e estabilidade mecânica quando expostas a altas temperaturas.

peraturas ao longo do tempo. A propriedade térmica limita o empenamento e a fissuração do material durante repetidos ciclos de aquecimento e resfriamento, proporcionando ao mesmo tempo uma longa vida útil em ambientes de produção.

O processamento de semicondutores exige um ambiente ultralimpo, uma vez que mesmo vestígios de impurezas podem afetar o rendimento e o comportamento dos dispositivos. O material SiC usado nas pás possui um revestimento de SiC depositado quimicamente por vapor (CVD) que promove uma pureza excepcionalmente alta do material, ao mesmo tempo que minimiza a contaminação metálica. A pá de cerâmica SiC permanece limpa e estável durante toda a sua vida útil. Como suportes cantilever, as pás precisam fornecer um suporte seguro para transportadores de wafers ou barcos durante a inserção e remoção do forno. Por causa deSiCDevido à resistência e rigidez inerentes, eles possuem boas propriedades de suporte de carga com deflexão mínima, o que é essencial para o manuseio e alinhamento adequados dos wafers. Em fornos de oxidação e difusão, atmosferas corrosivas podem atacar e degradar materiais tradicionais ao longo do tempo, mas o SiC tem a capacidade de manter a sua estabilidade química, prolongando a vida útil da pá. Isto resulta em custos de manutenção e substituição drasticamente reduzidos, uma vez que as pás não precisam ser substituídas ou reparadas com tanta frequência.

Além do desempenho, há flexibilidade na personalização das pás para equipamentos e processos específicos. Dimensões, tolerâncias e acabamento superficial podem ser flexibilizados para garantir o ajuste entre os designs do forno e qualquer outro sistema de manuseio de wafer. A capacidade de atingir altos graus de precisão dimensional com usinagem de precisão da cerâmica também permitirá a produção de pás para atender geometrias complexas. Toda esta gama de recursos destina-se a proporcionar uma operação perfeita e fácil integração nas linhas de produção existentes.

Cerâmica SiCAs pás, com sua combinação de alta pureza, estabilidade térmica, resistência mecânica e resistência química, são materiais essenciais nos processos de oxidação e difusão de semicondutores. Ao fornecer uma plataforma estável e limpa para transferência de wafer, eles contribuem diretamente para melhorar o rendimento, a consistência do processo e a eficiência geral da fabricação.