Epitaxia SiC

A Semicorex fornece epitaxia de SiC de filme fino personalizado (carboneto de silício) em substratos para o desenvolvimento de dispositivos de carboneto de silício.

A epitaxia de SiC pode ser adaptada para atender aos requisitos específicos do dispositivo, incorporando dopantes ou cultivando diferentes orientações de cristal. A dopagem da camada epitaxial com impurezas como nitrogênio ou alumínio permite a modificação de propriedades elétricas, como controlar a concentração de transportadores ou criar junções pn.

A qualidade da camada epitaxial de SiC é avaliada através de várias técnicas de caracterização, incluindo difração de raios X, microscopia eletrônica de varredura, microscopia de força atômica e medições elétricas. Essas técnicas ajudam a avaliar a estrutura cristalina, a morfologia da superfície e o desempenho elétrico da camada epitaxial.

A Semicorex pode oferecer: wafer epitaxial de SiC, wafer epitaxial de GaN, Si Epitaxy, wafer de SiC, etc.