SiC Epitaxia

A Semicorex fornece filme fino personalizado (carboneto de silício) SiC epitaxia em substratos para o desenvolvimento de dispositivos de carboneto de silício.

A epitaxia de SiC pode ser adaptada para atender aos requisitos específicos do dispositivo, incorporando dopantes ou cultivando diferentes orientações cristalinas. A dopagem da camada epitaxial com impurezas como nitrogênio ou alumínio permite a modificação de propriedades elétricas, como controlar a concentração de portadores ou criar junções p-n.

A qualidade da camada epitaxial de SiC é avaliada por meio de várias técnicas de caracterização, incluindo difração de raios X, microscopia eletrônica de varredura, microscopia de força atômica e medições elétricas. Essas técnicas ajudam a avaliar a estrutura cristalina, a morfologia da superfície e o desempenho elétrico da camada epitaxial.

A Semicorex pode oferecer: wafer epitaxial SiC, wafer epitaxial GaN, Si Epitaxy, wafer SiC, etc.