Epitaxia GaN

A epitaxia de nitreto de gálio GaN é um material semicondutor de banda larga com excelentes propriedades elétricas e ópticas, tornando-o um candidato promissor para vários dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos.

A epitaxia GaN revolucionou o desenvolvimento de dispositivos baseados em GaN, incluindo eletrônicos de alta potência, iluminação de estado sólido (LEDs) e dispositivos de alta frequência. A capacidade de cultivar camadas epitaxiais de GaN de alta qualidade com controle preciso sobre as propriedades do material melhorou significativamente o desempenho, a eficiência e a confiabilidade dos dispositivos de GaN, contribuindo para avanços em vários setores, como eletrônica de potência, telecomunicações e eletrônicos de consumo.