Cadinho de grafite poroso

Um cadinho de grafite poroso desempenha um papel crítico no processo de crescimento de cristal único de carboneto de silício (SiC), uma etapa crucial na fabricação de semicondutores. Este cadinho especializado foi projetado para suportar temperaturas extremas e ambientes químicos agressivos, tornando-o um recipiente ideal para as reações de alta temperatura envolvidas no crescimento de cristais de SiC.

O cadinho é normalmente feito de material de grafite de alta pureza, conhecido por sua excelente condutividade térmica, inércia química e resistência mecânica. O termo "poroso" refere-se à criação intencional de uma estrutura permeável dentro do grafite, permitindo o fluxo controlado de gases e líquidos durante o processo de crescimento do cristal.

O processo de crescimento de cristal único de SiC envolve a sublimação de materiais fonte de silício e carbono em um forno de alta temperatura. O cadinho de grafite poroso atua como um recipiente para esses materiais de origem, proporcionando um ambiente estável e controlado para que ocorra o crescimento do cristal. Sua estrutura porosa permite o transporte eficiente de gases precursores e facilita a remoção de subprodutos gerados durante o processo de crescimento.

A capacidade do cadinho de manter a estabilidade e resistir a condições extremas é essencial para obter cristais únicos de SiC de alta qualidade, que são essenciais para a produção de dispositivos semicondutores. A porosidade do cadinho auxilia na otimização do fluxo de gás e na distribuição de calor, contribuindo para o crescimento uniforme de cristais de SiC grandes e de alta qualidade.